III - V復(fù)合串列太陽(yáng)能電池通常用作衛(wèi)星和航天器的超高能量來(lái)源轉(zhuǎn)換效率，歸因于優(yōu)異的材料特性，穩(wěn)定性，輻射線束，混溶性和最值得注意的是，其帶隙能成立。S - W效應(yīng)（光退化）一般存在于晶體和非晶硅串列太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)能電池有負(fù)面影響。硅電池效率。作為III - V復(fù)合串聯(lián)太陽(yáng)能電池?zé)oW效應(yīng)，轉(zhuǎn)換效率顯著提高。由于III - V復(fù)合材料的相容性，化學(xué)元素如磷和砷可以摻入　Ⅲ- V復(fù)合光伏提高能帶隙得到了帶隙合適的光伏材料。太陽(yáng)光譜。這對(duì)選擇具有重要意義。一個(gè)適當(dāng)?shù)淖蛹?xì)胞的帶隙?1?。能帶隙在GaInP /砷化鎵/砷化銦鎵/鍺4-j串聯(lián)太陽(yáng)能電池的子細(xì)胞分別為1.8、1.4、1和0.7 EV。研究表明，這樣的帶隙配置具有最佳的頻譜效率和有望打破創(chuàng)紀(jì)錄的效率，超過(guò)45%。在目前，磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺3-j串聯(lián)太陽(yáng)能電池可以達(dá)到在一個(gè)陽(yáng)光31.7%的轉(zhuǎn)換效率（下）和甚至達(dá)到39.2%下的200個(gè)太陽(yáng)?2；3?。磷化/砷化銦鎵/鍺3-j串聯(lián)太陽(yáng)能電池，與第一1.8 eV的帶隙和第二層的InGaP層InGaAs1 eV的帶隙，有更大的差距，導(dǎo)致NO減少太陽(yáng)光譜的浪費(fèi)。因此，添加是可行的。GaAs層1.4 eV的前兩層之間?2?。一GaInP /砷化鎵/砷化銦鎵/鍺這種結(jié)構(gòu)4-j串聯(lián)太陽(yáng)能電池具有較好的理論轉(zhuǎn)化效率比磷化/砷化銦鎵/鍺3-j串聯(lián)太陽(yáng)能電池，由于其使用的改進(jìn)太陽(yáng)光譜。但是，子單元格的添加創(chuàng)建了提出了更高的要求，協(xié)調(diào)各單位之間的，不同子細(xì)胞材料之間的晶格匹配當(dāng)前小區(qū)間的匹配，整體穩(wěn)定性較好。