資料介紹
本文檔的主要內容詳細介紹的是物聯網和智能設備的EMI分析與設計技巧詳細資料說明。
物聯網智能設備系統:供電系統和主平臺架構與傳感器系統及語音顯示
輻射干擾共模與差模信號的磁場分布!
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關斷引起
1 可以采用增大MOS 驅動電阻;
2 優化RCD 緩沖吸收電路,吸收二極管并聯101-102的電容;
3 或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;
4 在MOSFET 的D-S 腳并聯一個小吸收電路電容《220pF;
5 在變壓器與MOSFET D之間加BEAD CORE;
6 在變壓器的輸入電壓引腳與輔助繞組GND加一個小電容推薦使用2.2nF;
7 優化PCB=進行LAYOUT 時大電解電容,變壓器,MOS 構成的電路環盡可能的小;
8 優化PCB=變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構成的電路環盡可能的小。
50---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
1 可以在輸出整流管上串磁珠;
2 調整輸出整流管的吸收電路參數;
3 可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD-CORE;
4 也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(改變散熱器的接地點)。
5 變壓器增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。變壓器外殼用屏蔽材料銅箔環繞一圈構成一回路加以屏蔽,銅箔形成閉環接初級地。200MHZ 以上開關電源已基本輻射量很小,一般可過EMI標準。
關于輻射的一個重要基本概念是:電流導致輻射,而非電壓!
1.差模電流的磁場主要集中在差模電流構成的回路面積之內,而回路面積之外的磁力線會相互抵消;
2.共模電流的磁場,在回路面積之外,共模電流產生的磁場方向相同,磁場強度反而加強!
設計技巧總結:
A.高頻電流環路面積S越大, EMI輻射越嚴重。減少輻射騷擾或提高射頻輻射抗干擾能力的最重要任務之一,就是想方設法減小高頻電流環路面積S!
B.環路電流頻率f越高,引起的EMI輻射越嚴重,電磁輻射場強隨電流頻率f的平方成正比增大。減少輻射騷擾或提高射頻輻射抗干擾能力的最重要途徑之二,就是想方設法減小騷擾源高頻電流頻率f,即減小騷擾電磁波的頻率;同時還可使用展頻技術!
C.數字電路工作需要的各種時鐘信號及高頻諧波及它們的組合,各種時鐘如CPU芯片工作時鐘、MPEG解碼器工作時鐘、視頻同步時鐘(27MHz,16.9344MHz 40.5MHz)等;
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