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提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于移動通信基站、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機(jī)基站射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓能力，因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。本文將在基本LDMOS的基礎(chǔ)上，通過器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)來提高LDMOS的抗擊穿能力。
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