研究了光電導(dǎo)天線產(chǎn)生太赫茲波的輻射特性，利用麥克斯韋方程及其邊界條件，計算了近遠場的電場強度；采用電磁波時域有限差分方法（FDTD），在Matlab系統(tǒng)軟件中，用C語言編寫程序計算光電導(dǎo)偶極天線的輻射太赫茲波的空間電磁場分布，并在計算機上以偽彩色圖形顯示，這種電磁場的可視化結(jié)果為天線的設(shè)計和改進提供了直觀的物理依據(jù)。太赫茲波是指波長范圍為3μm～3mm（011～10THz）之間的電磁輻射，其波段位于微波和紅外光之間。隨著超快激光技術(shù)和低尺度半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，使THz電磁波的產(chǎn)生技術(shù)，THz輻射機理的研究，THz檢測技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)得到迅速的發(fā)展。目前，產(chǎn)生脈沖THz輻射的方法主要有兩種：光電導(dǎo)天線產(chǎn)生THz電磁波和光整流產(chǎn)生THz。前者是利用飛秒激光脈沖觸發(fā)直流偏置下的光電導(dǎo)體，通過相干電流驅(qū)動偶極天線產(chǎn)生太赫茲輻射；光整流是一種非線性效應(yīng)，是用飛秒激光脈沖和非線性介質(zhì) （LiNbO3，LiTaO3，ZnTe等）相互作用產(chǎn)生低頻極化場也可以輻射出THz電磁波。近年來，國內(nèi)外有不少關(guān)于光電導(dǎo)天線產(chǎn)生 THz電磁波的文獻報道。Darrow等對光電導(dǎo)天線產(chǎn)生太赫茲波的理論進行了詳細的解釋，并且對砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP） 作為光電導(dǎo)天線的基質(zhì)材料產(chǎn)生太赫茲輻射進行了對比。Hattori等研究了大孔徑光電導(dǎo)天線產(chǎn)生太赫茲波的時間特性，考慮了半導(dǎo)體載流子壽命和弛豫時間對太赫茲輻射的影響。大孔徑光電導(dǎo)天線在強激光脈沖的照射下會產(chǎn)生飽和現(xiàn)象，Darrow等等分別進行了理論模擬，得出了半導(dǎo)體表面的輻射電場對偏置電場的屏蔽效應(yīng)是產(chǎn)生飽和現(xiàn)象的主要原因。施衛(wèi)等對半絕緣砷化鎵（GaAs）天線產(chǎn)生太赫茲波的輻射特性進行了相關(guān)研究。在國內(nèi)外研究的基礎(chǔ)上，對光電導(dǎo)天線產(chǎn)生太赫茲波的微觀機制進行理論分析和計算，用麥克斯韋方程及其邊界條件計算了光電導(dǎo)體的表面電流和近遠場的輻射電場，通過計算可以看出近場條件下太赫茲波的輻射強度正比于表面電流，遠場條件下太赫茲波的輻射強度正比于觸發(fā)光脈沖的寬度、功率和偏置電場的強度。對于理論分析的結(jié)果，采用時域有限差分方法 （FDTD）計算了光電導(dǎo)天線的輻射特性。