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標(biāo)簽 > 光電器件

光電器件

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光電器件是指根據(jù)光電效應(yīng)制作的器件稱(chēng)為光電器件,也稱(chēng)光敏器件。光電器件的種類(lèi)很多,但其工作原理都是建立在光電效應(yīng)這一物理基礎(chǔ)上的。光電器件的種類(lèi)主要有: 光電管、光電倍增管、光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池、光電耦合器件。

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光電器件簡(jiǎn)介

  光電器件是指根據(jù)光電效應(yīng)制作的器件稱(chēng)為光電器件,也稱(chēng)光敏器件。光電器件的種類(lèi)很多,但其工作原理都是建立在光電效應(yīng)這一物理基礎(chǔ)上的。光電器件的種類(lèi)主要有: 光電管、光電倍增管、光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池、光電耦合器件。

  半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率是由載流子濃度決定的。半導(dǎo)體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復(fù)合處于動(dòng)態(tài)平衡,電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量,而光照可以向電子提供能量,增強(qiáng)它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動(dòng)態(tài)平衡被打破,自由電子及空穴的形成速率大于復(fù)合速率,從而在半導(dǎo)體內(nèi)部形成自由電子——空穴對(duì)。因此,光照可以改變載流子的濃度,從而改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。

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光電器件知識(shí)

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光電器件技術(shù)

光敏二極管的基本特性

光敏二極管作為一種重要的半導(dǎo)體光電器件,具有一系列獨(dú)特的基本特性。以下是對(duì)光敏二極管基本特性的詳細(xì)闡述,旨在提供全面且深入的理解。

2024-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電器件光敏二極管 1917 0

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lc耦合器單工和雙工區(qū)別

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線性光耦有哪些型號(hào)和作用

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光電器件資訊

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2024-03-26 標(biāo)簽:光電器件人工智能光信號(hào) 726 0

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2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓LED顯示 951 0

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光電器件數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    基帶芯片
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    基帶芯片是指用來(lái)合成即將發(fā)射的基帶信號(hào),或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說(shuō),就是發(fā)射時(shí),把語(yǔ)音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來(lái)發(fā)射的基帶碼;接收時(shí),把收到的基帶碼解碼為語(yǔ)音或其他數(shù)據(jù)信號(hào),它主要完成通信終端的信息處理功能。
  • 世強(qiáng)
    世強(qiáng)
    +關(guān)注
  • MRAM
    MRAM
    +關(guān)注
    MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
  • 便攜醫(yī)療
    便攜醫(yī)療
    +關(guān)注
    受惠于中國(guó)政府醫(yī)療改革以及居民對(duì)健康保健的重視,未來(lái)3年,中國(guó)便攜醫(yī)療電子市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)30%!其市場(chǎng)規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元!
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