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內(nèi)存

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內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一,它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的,因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器,其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。

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內(nèi)存資訊

華邦高性能內(nèi)存產(chǎn)品助力節(jié)能降耗

作為利基型內(nèi)存企業(yè),華邦致力于在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面不斷降低系統(tǒng)所需電壓和功耗,還通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù),不斷減少材料消耗、微縮產(chǎn)品尺寸,在為綠色發(fā)展做出貢獻(xiàn)的同時(shí),...

2024-07-25 標(biāo)簽:soc內(nèi)存華邦電子 490 0

美光MRDIMM內(nèi)存發(fā)布,加速數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載

美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應(yīng)對(duì)日益繁重...

2024-07-22 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心AI 638 0

MTs與MHz,誰(shuí)是真正內(nèi)存性能單位?

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內(nèi)存(RAM)作為電腦至關(guān)重要的組件之一,除容量這一基本要素外,頻率也是影響用戶購(gòu)買(mǎi)選擇的關(guān)鍵指標(biāo)。通常廠商在宣稱內(nèi)存頻率時(shí),會(huì)以“MHz”作為計(jì)量單位...

2024-07-19 標(biāo)簽:內(nèi)存 3168 0

三星電子計(jì)劃2025~2026年推出LP Wide I/O內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位,通過(guò)其2024年異構(gòu)集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動(dòng)內(nèi)存——LP Wide ...

2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子內(nèi)存 1278 0

三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋(píng)果下一代XR設(shè)備市場(chǎng)

近日,韓媒ZDNet Korea報(bào)道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來(lái)蘋(píng)果Vision Pro之后的下一代...

2024-07-18 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存智能設(shè)備 755 0

SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

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2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電內(nèi)存 721 0

三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動(dòng)內(nèi)存即將面世

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7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖,其中一項(xiàng)關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為L(zhǎng)P Wide I/O的創(chuàng)新型移動(dòng)內(nèi)存...

2024-07-17 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存移動(dòng)內(nèi)存 1188 0

什么是滿級(jí)性能?天璣9400和10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存強(qiáng)強(qiáng)結(jié)合

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天璣9400不僅在制程技術(shù)、CPU架構(gòu)和內(nèi)存速度上實(shí)現(xiàn)了全面的升級(jí),更是展示了聯(lián)發(fā)科在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中的領(lǐng)先地位。隨著年底的臨近,全球各大廠商將陸續(xù)推出搭載天...

2024-07-16 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科內(nèi)存天璣 390 0

國(guó)芯筑夢(mèng) 南天門(mén)啟航 科摩思發(fā)布旗艦SSD性能高達(dá)7100MB/s

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超盈智能科技蟄伏存儲(chǔ)行業(yè)13年,專注于產(chǎn)品封測(cè)和嵌入式存儲(chǔ)解決方案,強(qiáng)勁的產(chǎn)品篩選能力對(duì)產(chǎn)品的來(lái)料有著嚴(yán)格的把控,產(chǎn)品穩(wěn)定性得到高度保證。現(xiàn)旗下科摩思品...

2024-07-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)內(nèi)存SSD 1440 0

亦逍遙DDR5內(nèi)存評(píng)測(cè):速度與優(yōu)雅的精妙融合

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在追逐硬件性能的漫漫征途之中,每一輪技術(shù)的更新迭代皆象征著質(zhì)的飛躍。當(dāng)DDR5標(biāo)準(zhǔn)漸占據(jù)主流之席,出身于紫光國(guó)芯的云彣(UniWhen?)緊趨時(shí)代的步履...

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臺(tái)積電代工價(jià)格上漲,客戶爭(zhēng)相鎖定產(chǎn)能

近日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重大消息,麥格理證券在其最新發(fā)布的報(bào)告中指出,臺(tái)積電多數(shù)客戶已同意上調(diào)代工價(jià)格以換取更為可靠的供應(yīng)保障。這一舉措不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體...

2024-07-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電內(nèi)存 374 0

0706線下活動(dòng) I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

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01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間:2024年7月6日(本周六)10:00地點(diǎn):深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈10...

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三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進(jìn)展:官方否認(rèn),測(cè)試仍在進(jìn)行

近日,韓國(guó)媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過(guò)了GPU巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的質(zhì)量認(rèn)證,即Qualt...

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江波龍巴西子公司Zilia啟動(dòng)存儲(chǔ)生產(chǎn),投資8.59億加速全球化布局

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商江波龍電子股份有限公司近日宣布了一項(xiàng)重要里程碑,其巴西子公司Zilia(智憶巴西)已成功啟動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的封裝生產(chǎn)線。這一戰(zhàn)略部...

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Intel放棄傲騰持久內(nèi)存200系列

近日,全球半導(dǎo)體巨頭Intel正式宣布了一項(xiàng)重要決定,標(biāo)志著其創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)——傲騰持久內(nèi)存Optane Persistent Memory 200系列正...

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AI訓(xùn)練狂飆,DDR5集成PMIC護(hù)航,內(nèi)存技術(shù)持續(xù)助力

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正高速增長(zhǎng),與之相適應(yīng)的不僅是HBM的迭代升級(jí),還有用于處理這些海量數(shù)據(jù)的服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)的不斷發(fā)展。 ? 以...

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2024年筆記本電腦內(nèi)存將增至11.8GB

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2024-06-26 標(biāo)簽:筆記本電腦內(nèi)存AI 907 0

Jtti:新加坡云服務(wù)器運(yùn)行內(nèi)存和存儲(chǔ)內(nèi)存有何區(qū)別?

新加坡云服務(wù)器 的運(yùn)行內(nèi)存(RAM)和存儲(chǔ)內(nèi)存在功能、速度、用途等方面有所區(qū)別。以下是它們的主要差異: 一、功能: 運(yùn)行內(nèi)存(RAM):主要用于臨時(shí)存儲(chǔ)...

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美光內(nèi)存助力未來(lái)AI技術(shù)更強(qiáng)大、更智能

近日,美光團(tuán)隊(duì)在 NVIDIA GTC 大會(huì)上展示了業(yè)界前沿的 AI 內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品引起了參展商和與會(huì)者的極大興趣和廣泛關(guān)注,本博客介紹了...

2024-06-18 標(biāo)簽:內(nèi)存AI美光科技 670 0

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jf_28200902 jf_35126807 jf_63420018 jf_31682241 jf_01860372 jf_46700568 曾榮南 埃菲爾上的鐵塔夢(mèng)

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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