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標(biāo)簽 > 功率元器件
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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類(lèi)大功率電源中大多采用全...
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開(kāi)關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3807 0
整流橋作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn) 把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
5G基建催生龐大電源需求,且看羅姆的應(yīng)對(duì)之策
隨著5G信號(hào)逐漸大規(guī)模覆蓋,大量5G基站的新建與重建以及4G基站的擴(kuò)容已經(jīng)逐步開(kāi)工,這勢(shì)必會(huì)為電源市場(chǎng)帶來(lái)新的機(jī)會(huì),對(duì)鋰電池、機(jī)房溫控設(shè)備、基礎(chǔ)元件的需...
探訪(fǎng)三亞FE現(xiàn)場(chǎng),揭秘文圖瑞車(chē)隊(duì)精彩逆變
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車(chē)隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車(chē)隊(duì)勇奪冠軍,這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
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【2019ROHM科技展】:4大展區(qū)+6場(chǎng)技術(shù)研討會(huì),邀您免費(fèi)參會(huì)贏(yíng)豪禮!(總價(jià)值超過(guò)10000元)
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如何通過(guò)雙脈沖測(cè)試確認(rèn)MOSFET損耗情況
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。
羅姆參展“2018第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”帶來(lái)SiC功率元器件為中心的電源解決方案
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國(guó)家會(huì)展中心(上海)舉行的第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上,...
【大大魚(yú)干的類(lèi)比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計(jì)算
在現(xiàn)代工業(yè)的各種應(yīng)用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當(dāng)作輸出的驅(qū)動(dòng)電路,其中最常見(jiàn)、也最容易造成問(wèn)題的不外乎就是會(huì)上、下交替導(dǎo)通的...
羅姆與臺(tái)達(dá)電子締結(jié)電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)和電源管理解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商臺(tái)達(dá)電子(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臺(tái)達(dá)”)就第三代半導(dǎo)體GaN(氮化鎵)...
2022-04-28 標(biāo)簽:臺(tái)達(dá)羅姆功率元器件 2460 0
羅姆制定中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃“MOVING FORWARD to 2025”
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)制定了中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃“MOVING FORWARD to 2025”,旨在根據(jù)企業(yè)理念和經(jīng)營(yíng)愿景,通過(guò)業(yè)務(wù)活...
在以前的ECU中,大多數(shù)將繼電器用作驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件,后來(lái)這種機(jī)械繼電器開(kāi)始向半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。并且這一趨勢(shì)迅速席卷了整車(chē)各個(gè)應(yīng)用,尤其是在電機(jī)和加熱...
SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用
與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計(jì)...
國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)
隨著新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...
2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體碳化硅 2108 0
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達(dá)95.7%,功率損耗比以往降...
2020-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiCRohm 1857 1
電動(dòng)汽車(chē)BMS解決方案,SiC功率元器件的作用在顯現(xiàn)
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 動(dòng)力電池是新能源汽車(chē)的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行,需要通過(guò)電池管理系統(tǒng)(BMS)對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、...
2022-11-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)bms功率元器件 1826 0
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