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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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門極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析
可控硅(SCR)和門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)都是大功率半導體開關(guān)器件,廣泛應用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
功率半導體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié),結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān),本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管,而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。
可控硅,也稱為硅控整流器(SCR),是一種大功率半導體器件,主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩(wěn)壓、無觸點開關(guān)等應用。
米勒效應在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
Nexperia 是世界一流標準產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應商, 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場,擁有恩智浦半導體的設(shè)計部門, 以及位于英國和德國...
2019-09-02 標簽:物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導體 1.8萬 0
為了研究FS設(shè)計和性能之間的影響,本文對三種設(shè)計的開關(guān)曲線展開了分析。圖6顯示了基于三種不同設(shè)計的新的二極管與EC4相比的二極管恢復特性。對二極管來說,...
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,在電力電子領(lǐng)域應用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復合而成,兼...
淺談功率半導體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長一段時間的發(fā)展,功率半導體在相關(guān)電源電路中的應用已經(jīng)不可替代。尤其是在當前太陽能著力發(fā)展的時代,功率半導體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
功率半導體在三電平NPC和TNPC拓撲結(jié)構(gòu)中的控制和保護
三電平拓撲結(jié)構(gòu)具有高效率和低諧波失真的特點,被廣泛應用在UPS和太陽能等領(lǐng)域。最常見的三電平拓撲結(jié)構(gòu)有NPC和TNPC,如圖1所示。
晶片制程允許較小的容差負溫度系數(shù)芯片熱敏電阻的另一個優(yōu)點是其較小的電和熱容差。這個精度是由特殊技術(shù)流程獲得的:分離元件之前,晶片的總電阻是由100 °C...
電源管理半導體從所包含的器件來說,明確強調(diào)電源管理集成電路(電源管理IC,簡稱電源管理芯片)的位置和作用。電源管理半導體包括兩部分,即電源管理集成電路和...
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