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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

SiC在天然環(huán)境下非常罕見，最早是人們?cè)谔?yáng)系剛誕生的46億年前的隕石中，發(fā)現(xiàn)了少量這種物質(zhì)，所以它又被稱為“經(jīng)歷46億年時(shí)光之旅的半導(dǎo)體材料”。

2019-07-24 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 9.1萬(wàn) 0

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體上市公司排名

半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域。關(guān)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體上市公司市值詳細(xì)排名如下文

2018-01-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 9.1萬(wàn) 0

IR將功率半導(dǎo)體觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)

有60幾年歷史的美商國(guó)際整流器公司（IR）表示，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品除了既有的資料儲(chǔ)存等企業(yè)市場(chǎng)，也將把觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)，包括超輕薄筆電（Ultrabook...

2012-02-15 標(biāo)簽：電源 IR 功率半導(dǎo)體 4.2萬(wàn) 0

功率半導(dǎo)體元件的主要用途是什么？功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析

功率半導(dǎo)體元件或簡(jiǎn)稱功率元件，是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心；主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，并同時(shí)可具有節(jié)能的功效，因此功率...

2018-07-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 2.9萬(wàn) 1

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及發(fā)展趨勢(shì)分析

功率半導(dǎo)體，即依托電力電子技術(shù)、以功率處理為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)；與功率半導(dǎo)體這個(gè)概念相對(duì)應(yīng)的，則是更為大眾所熟知的依托微電子技術(shù)、保持小功率的特點(diǎn)、以...

2019-03-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2.8萬(wàn) 0

中國(guó)半導(dǎo)體的困局和功率半導(dǎo)體未來(lái)走向

半導(dǎo)體制造集各學(xué)科之極致。半導(dǎo)體的制造步驟超過(guò)上千步，并涉及到多個(gè)學(xué)科，是一門集各學(xué)科的大成的巨大工程。

2018-06-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體東微半導(dǎo)體 2.0萬(wàn) 0

功率半導(dǎo)體是什么，igbt產(chǎn)品又是如何分類的

關(guān)于IGBT，小編已經(jīng)寫過(guò)很多篇文章了。今天主要來(lái)講講什么是功率半導(dǎo)體？IGBT產(chǎn)品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？

2022-03-11 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 0

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電...

2020-06-18 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體華潤(rùn)微電子碳化硅 1.5萬(wàn) 0

什么是功率半導(dǎo)體？有哪些類型？

功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC，功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管，其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、MOSF...

2023-02-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

從存儲(chǔ)芯片、模擬芯片、功率半導(dǎo)體三大板塊速看慕展！

7月5日，為期3天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕，與往年有所不同，今年的慕展國(guó)際芯片大廠有所減少，估計(jì)是受到了疫情的影響。今年參展的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商主要有存...

2020-07-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片功率半導(dǎo)體模擬芯片 1.4萬(wàn) 0

獨(dú)家！跑贏大市，揭秘華潤(rùn)微2020年半年報(bào)凈利潤(rùn)大漲背后的玄機(jī)

本站原創(chuàng)! (電子發(fā)燒友報(bào)道文/章鷹 )2020年第二季度，全球受到疫情的影響經(jīng)濟(jì)大幅度下滑，但是半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)了極強(qiáng)的抗跌性。2020年上半年，中國(guó)...

2020-08-05 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

2018年功率半導(dǎo)體可能如IC業(yè)一樣迎來(lái)發(fā)展熱潮

1月，華潤(rùn)微宣布將在重慶打造全國(guó)最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地;去年年底，士蘭微發(fā)布公告在廈門建設(shè)兩條12英寸特色工藝生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品為MEMS和功率半導(dǎo)體。...

2018-03-19 標(biāo)簽：士蘭微功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

mos管寄生電容

功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal...

2022-03-30 標(biāo)簽：MOS管寄生電容功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 0

專家談功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

這是來(lái)自電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副院長(zhǎng) 張波的一篇文章，張教授就功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)的趨勢(shì)進(jìn)行了詳細(xì)的解說(shuō)，希望各位對(duì)這個(gè)重要的元器件有全...

2012-12-02 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 1

誰(shuí)改變了整個(gè)電器時(shí)代？巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力

通用電氣公司的一些工程師想探索一個(gè)簡(jiǎn)單的節(jié)能理念：讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)到達(dá)預(yù)想轉(zhuǎn)速就可以了。但這需要增加電子器件，以可變頻率向電機(jī)的繞組輸送功率，這在當(dāng)時(shí)是不容易...

2018-04-16 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0

常用的13種功率半導(dǎo)體器件介紹

IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。

2021-03-05 標(biāo)簽：晶閘管功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.2萬(wàn) 0

igbt和可控硅有什么區(qū)別？

igbt和可控硅有什么區(qū)別？? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）與可控硅（SCR，Silicon Cont...

2023-08-25 標(biāo)簽：控制器可控硅 IGBT 1.2萬(wàn) 0

GaN和SiC增利效應(yīng)拉高，市場(chǎng)競(jìng)逐日趨白熱化

Wolfspeed，英飛凌，三菱，安森美半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體，ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半...

2019-11-11 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0

重慶集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈已初步建成，未來(lái)將成為國(guó)內(nèi)重要的功率半導(dǎo)體基地

重慶是國(guó)內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)最早的城市之一，我國(guó)第一塊大規(guī)模集成電路芯片，就出自位于永川的中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第24研究所。

2018-08-15 標(biāo)簽：集成電路功率半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0

一文了解MOS管寄生電容是如何形成的？

2022-04-07 標(biāo)簽：電容 MOS管功率半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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