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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

常見的功率器件有哪些?

我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦裕淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...

2023-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件電路控制 1.3萬 0

三極管電路原理圖講解

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三極管有三個(gè)工作狀態(tài);截止、放大、飽和;放大狀態(tài)很有學(xué)問也很復(fù)雜,多用于集成芯片,比如運(yùn)放,現(xiàn)在不討論;其實(shí)對信號的放大我們通常用運(yùn)放處理。三極管更多的...

2023-07-18 標(biāo)簽:三極管繼電器運(yùn)放 1.3萬 0

簡述晶閘管的工作原理

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晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...

2022-07-22 標(biāo)簽:晶閘管工作原理功率器件 1.3萬 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

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氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1.3萬 0

如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源的要求

在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高,對熱應(yīng)力和電...

2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬 0

電腦電源為什么不用氮化鎵 氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...

2023-08-17 標(biāo)簽:充電器功率器件氮化鎵 1.2萬 0

淺談鋰電池保護(hù)電路中功率MOS管的作用

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通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對其充放電過程進(jìn)行保護(hù),以免過充過放或過熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件,...

2013-02-04 標(biāo)簽:鋰電池MOSFET功率器件 1.2萬 0

開關(guān)電源14種拓?fù)溆?jì)算公式大匯總

上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí),功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí),其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值),電流耐量則得按器件...

2018-12-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源變換器功率器件 1.2萬 2

硅基氮化鎵工藝流程

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硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極...

2023-02-11 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵硅基 1.2萬 1

功率ic和功率器件的區(qū)別是什么

功率 IC (Power IC)是一種專門用于處理功率信號的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比,功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 1.1萬 0

功率MOSFET搭配散熱器的分析講解

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功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說明.

2022-05-19 標(biāo)簽:MOSFET散熱器熱阻 1.1萬 0

化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝功率器件 1.1萬 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

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SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...

2018-07-15 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 1.1萬 0

EMI及PCB設(shè)計(jì)與開關(guān)頻率詳解

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電源模塊發(fā)展至今,工程師們都著眼于如何將模塊做得更為小型化,輕量化,其實(shí)大家都明白可以通過提升開關(guān)頻率來提高產(chǎn)品的功率密度。但為什么迄今為止模塊的體積沒...

2018-05-18 標(biāo)簽:電源管理EMI功率器件 1.1萬 0

氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析

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氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-02-05 標(biāo)簽:led晶體功率器件 9919 0

SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過人之處呢?

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圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對...

2018-06-09 標(biāo)簽:mosfet功率器件SiC 9895 0

氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵功率器件的可靠性分析

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氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件,它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...

2023-02-19 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件氮化鎵 9861 0

為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...

2023-07-03 標(biāo)簽:光電器件功率器件砷化鎵 9850 0

利用現(xiàn)有設(shè)計(jì)專知,強(qiáng)化功率模塊在汽車領(lǐng)域應(yīng)用

整合不僅有助于節(jié)省空間,而且還可以幫助降低成本,提高可靠性,加快新產(chǎn)品的上市進(jìn)程。有利的是,在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),可以幫助滿足這些要求。

2017-08-31 標(biāo)簽:汽車電子電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 9776 0

什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件,在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用,主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面,如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS功率器件 9651 0

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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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