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標簽 > 功率場效應管
功率場效應管一般指功率MOS場效應晶體管，功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
功率MOS場效應晶體管的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffec...
MOSFET的類型很多，按導電溝道可分為P溝道和N溝道；根據柵極電壓與導電溝道出現的關系可分為耗盡型和增強型。功率場效應晶體管一般為N溝道增強型。
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在...
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安...
功率場效應管是一種可控硅晶體管，它是一種由金屬氧化物半導體構成的三極管，具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關速度等特點。
CIS（CMOS圖像傳感器）廠商：深圳比亞迪微電子有限公司簡介
深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團旗下的獨立子公司，自2003年開始致力于集成電路及功率器件的開發，并提供產品應用的整套解決方案。比亞迪微電子立足于自...
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