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標(biāo)簽 > 功率電子
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碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性,SiC器件相比于同等...
大眾ID.4CROZZ驅(qū)動系統(tǒng)故障檢修方案
一輛2021年產(chǎn)一汽-大眾ID.4CROZZ純電動車型,行駛里程6300km。用戶反映該車在行駛過程中,突發(fā)車輛不能上電,不能進(jìn)入“ready”狀態(tài);車...
2023-01-03 標(biāo)簽:控制器驅(qū)動系統(tǒng)大眾 1.3萬 0
二極管的反向恢復(fù)時間(Reverse Recovery Time)是衡量其從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)時性能的一個重要參數(shù)。 反向恢復(fù)時間是指二極管從正向?qū)?..
電動汽車功率電子封裝用耐高溫環(huán)氧塑封料的研究進(jìn)展
?摘要:本文綜述了近年來國內(nèi)外關(guān)于耐高溫環(huán)氧塑封料(EMC)的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用進(jìn)展,從先進(jìn)功率電子器件發(fā)展對塑封材料的性能需求、傳統(tǒng)EMC的高溫降解機(jī)理、...
IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點和性能優(yōu)勢
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
總體要求來看,兩款車的基本需求是沒有差異的,電池的目標(biāo)溫度區(qū)間在 25-35°左右,其他功率電子的目標(biāo)溫度在 55°左右。
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2666 0
與單層或雙層PCB相比,高多層PCB面臨著更高的復(fù)雜性和性能挑戰(zhàn)。這主要體現(xiàn)在三方面:一是高頻信號傳輸特性要求。高多層PCB常用于需要高頻信號傳輸?shù)膽?yīng)用...
2024-04-27 標(biāo)簽:pcb數(shù)字信號處理多層板 2450 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極性晶體管)被廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的功率電子領(lǐng)域,例如電力傳輸、...
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點,通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1436 0
在電力電子系統(tǒng)中,控制電路和電連接部件是確保系統(tǒng)精確、高效運行的關(guān)鍵要素。這些組件不僅負(fù)責(zé)實現(xiàn)對功率電子器件的精確控制,還確保了電能的有效傳輸和系統(tǒng)的安...
必須開關(guān)電源 (SMPS) 的每個設(shè)計流程結(jié)束時,都必須執(zhí)行傳導(dǎo)發(fā)射測試。開發(fā)人員必須驗證產(chǎn)品符合適用標(biāo)準(zhǔn),方可將其投入市場。全面的一致性測試需要借助試...
2023-09-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源濾波器示波器 921 0
航天民芯代理 MT9700代替RY2121 功率電子開關(guān)
MT9700是一個具有成本效益、低壓、單P-MOSFET負(fù)載開關(guān),為自供電和總線供電的通用串行總線(USB)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該開關(guān)的輸入范圍從2.4V到...
2024-07-05 標(biāo)簽:電子開關(guān)串行總線功率電子 888 0
具有長存儲的示波器,不僅能捕獲和顯示高頻開關(guān)型電源開關(guān)轉(zhuǎn)換信號的詳細(xì)信息,甚至可通過持續(xù)時間長達(dá)許多毫秒的瞬態(tài)信號捕獲顯示。示波器可在啟動或保護(hù)模式期間...
隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長,并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 755 0
浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型:提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計與仿真的新方法
功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此...
2025-03-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器仿真功率電子 211 0
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
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