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標簽 > 半導體存儲器
用半導體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡稱半導體存儲器。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。
用半導體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡稱半導體存儲器。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。
半導體存儲器的存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個硅芯片上,輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的接口大為簡化。
隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),當關(guān)機或斷電時,其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主...
半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器,易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存...
2019-01-01 標簽:半導體存儲器存儲器技術(shù) 1.3萬 0
DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)...
2018-04-15 標簽:半導體存儲器 9842 0
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1(如半導體)和無源元件2(如電阻器和電容器3)。因此,電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣,可分為0級...
東芝推出內(nèi)存和硬盤合二為一的SCM存儲級內(nèi)存
電腦的運作需要有內(nèi)存和硬盤兩個部件來共同完成數(shù)據(jù)儲存:內(nèi)存速度快但容量小、斷電后記憶會丟失,硬盤速度慢但容量大并且能夠長久保存數(shù)據(jù)。有沒有可能讓內(nèi)存和硬...
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分,直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分,它們僅在封裝過程中...
類別:存儲器技術(shù) 2011-05-30 標簽:半導體存儲器接口
類別:存儲器技術(shù) 2009-12-04 標簽:半導體存儲器
類別:電子教材 2014-08-19 標簽:半導體存儲器觸發(fā)器數(shù)字搶答器設計
類別:課件下載 2016-12-12 標簽:半導體存儲器數(shù)字電子技術(shù)
半導體存儲器,半導體存儲器原理圖解 半導體存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字數(shù)據(jù)、程序等信息,在必要時
2010-03-01 標簽:半導體存儲器 2.7萬 1
去年我們國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模5411億,增速將近25%,中國是全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速最快的區(qū)域,從2000年到2018年,過去18年間中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售...
半導體存儲器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲信息,而半導體存儲器DRAM則是靠電容存儲,半導體靜態(tài)存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲器中最小的存儲單位就...
半導體存儲器芯片,按照讀寫功能可分為隨機讀寫存儲器(RandomAccessMemory,RAM)和只讀存儲器(ReadOnlyMemory,ROM)兩大類。
DDR/LPDDR和GDDR科技都將持續(xù)增長將成為這場存儲逐力賽中的黑馬
半導體存儲是存儲領域應用領域最高、市場規(guī)模最大的存儲器件。按照停電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi),半導體存儲器可分為掉電易失和掉電非易失器件;其中易失存...
致力存儲國產(chǎn)化,嘉合勁威積極布局企業(yè)級SSD市場
來源:嘉合勁威 對于半導體存儲行業(yè)來說,5G、AI、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、元宇宙等新一代信息技術(shù)不斷發(fā)展,催生海量數(shù)據(jù)存儲與交互需求,存儲無處不在,同時也推動...
Molecular Imprints將為半導體大批量制造提供先進光刻設備
奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)廠商Molecular Imprints, Inc. (MII) 宣佈,該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印範本的採購訂...
高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質(zhì)的不同可分為磁表面存...
DRAM會區(qū)分顆粒的技術(shù)層級:DDR3/DDR4/DDR5; Flash會區(qū)分顆粒的類別:TLC/MLC/SLC; 也會區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/3...
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