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標簽 > 半導體工藝
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本文首先介紹了半導體制造工藝流程及其需要的設備和材料，其次闡述了IC晶圓生產線的7個主要生產區域及所需設備和材料，最后詳細的介紹了半導體制造工藝，具體的...
隨著智能手機的發展，半導體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導體代工廠們每天爭相發布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知...
IC封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。
研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結構，這是半導體工藝中常用的加工方法。
FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
InP 材料在力學方面具有軟脆的特性，導致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導體工藝中有顯著的形變和碎裂的風險；同時，InP 基化合物半導體...
單晶爐，全自動直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。
關于Intel和AMD合作打造一款處理器的傳言已久，盡管前者否認新品計劃，但就像新聞圈那句“否認即承認”一樣，總是有新的佐證出來。
光刻是半導體工藝中最關鍵的步驟之一。EUV是當今半導體行業最熱門的關鍵詞，也是光刻技術。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細看看光刻技術。
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進，偵測極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術以全反射...
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
在標準的工業測試方法和模型中，假設材料是各向同性且只通過平面的導熱系數;通常采用平面散熱的方法去降低熱點溫度，增加整個區域的熱傳遞。而世強92ML方案則...
半導體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工...
晶圓表面的潔凈度對于后續半導體工藝以及產品合格率會造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結果可用以反應某一...
Teledyne e2v高速SiP直接RF數據轉換接收(Rx)方案
隨著ADC和DAC的性能規格、形狀參數和新的傳感器技術(Rx和Tx)的不斷發展，RF數據轉換系統正在發生快速變化。在這期間，一個系統級的設計問題一直存在...
因為人工智能的持續火熱，AI芯片在過去幾年里如雨后春筍般在全球各地冒出來。這就驅動行業去探索評估AI芯片性能的最優方法。 就如傳統的芯片設計師追求PPA...
引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介...
英特爾則是認為可以使用一種GAA FET的最新形態——堆疊式CFET場效應管架構。這種架構的集成密度進一步提升，將n型和p型MOS元件堆疊在一起，可以堆...
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