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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料，引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時(shí)具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢(shì)。1）碳化硅擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 碳化硅 4067 0

Cree宣布與SMART Global Holdings,Inc.達(dá)成最終協(xié)議

Cree成立于1987年，于1993年登陸納斯達(dá)克交易所。為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名...

2020-11-12 標(biāo)簽：led Cree 半導(dǎo)體材料 4041 0

TMD或?qū)⑷〈鶶i，下一代半導(dǎo)體材料來襲

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）1965年，英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了著名的“摩爾定律”，它預(yù)測(cè)每隔18至24個(gè)月，芯片上可容納的晶體管數(shù)量將翻倍，...

2024-07-15 標(biāo)簽：摩爾定律半導(dǎo)體材料 TMD 4036 0

為什么電阻率隨溫度變化而變化

電阻率隨溫度變化而變化的原因主要涉及到材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)和電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的變化。以下是對(duì)這一現(xiàn)象的介紹：一、金屬導(dǎo)體對(duì)于金屬導(dǎo)體而言，電阻率隨溫度變化的...

2024-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬電阻率 4005 0

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研...

2024-01-12 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 3999 0

霍爾傳感器該如何選型呢

根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對(duì)磁場(chǎng)敏感、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，在測(cè)量、自動(dòng)化、計(jì)...

2022-10-19 標(biāo)簽：霍爾傳感器半導(dǎo)體材料 3946 0

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了新一輪的規(guī)劃

為推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門，積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一是2014年國(guó)務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱...

2019-10-12 標(biāo)簽：集成電路核心技術(shù)半導(dǎo)體材料 3924 0

SK海力士提升為集團(tuán)子公司的“利與弊”

據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)SK集團(tuán)（SK Group）為了提升股東價(jià)值，針對(duì)五大新事業(yè)領(lǐng)域加強(qiáng)對(duì)外購(gòu)并。但身為集團(tuán)金牛的SK海力士（SK Hynix）卻位在疊...

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國(guó)家重大科學(xué)儀器開發(fā)專項(xiàng)“基于飛秒激光的太赫茲時(shí)域光譜儀開發(fā)”項(xiàng)目進(jìn)展順利

公告顯示，該項(xiàng)目主要針對(duì)太赫茲時(shí)域光譜儀及各個(gè)關(guān)鍵模塊進(jìn)行了研究和開發(fā)，先后開發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超快激光器、太赫茲源、太赫茲探測(cè)器等一系列核心產(chǎn)品，...

2021-03-26 標(biāo)簽：激光器半導(dǎo)體材料太赫茲 3887 0

中電化合物總投資10.5億元建設(shè)的寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目

根據(jù)公告，中電化合物將分二期建設(shè)該項(xiàng)目：一期計(jì)劃投資2.2億元，租用杭州灣數(shù)字產(chǎn)業(yè)園1萬平方米廠房，二期征用土地70畝，形成年產(chǎn)8萬片4-6寸碳化硅襯底...

2022-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 3852 0

光電技術(shù)：2023入選的十項(xiàng)前沿科技

激光制造是當(dāng)前國(guó)際制造業(yè)的前沿和熱點(diǎn)之一，以激光為工具對(duì)材料改性、去除和成形，如激光切割、焊接、打孔、3D打印等，廣泛應(yīng)用于制造的各個(gè)領(lǐng)域。

2023-12-04 標(biāo)簽：移動(dòng)通信半導(dǎo)體材料激光切割 3789 0

輝鉬(MoS2)有望代替硅成為新一代半導(dǎo)體材料

本報(bào)訊據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)1月31日?qǐng)?bào)道，近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分...

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三星開始測(cè)試中國(guó)產(chǎn)氟化氫

擠破腦袋尋求替代貨源

2019-07-19 標(biāo)簽：三星電子半導(dǎo)體材料 3750 0

半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)和要求有哪些?

半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)和要求有哪些? 半導(dǎo)體材料-特性參數(shù) LED燈泡半

2010-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 3693 0

2020中國(guó)（海寧）半導(dǎo)體裝備及材料精英峰會(huì)在浙江海寧舉辦

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2020年硅碳負(fù)極材料研究報(bào)告

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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