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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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工信部答復(fù)政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)提案
集成電路是高度國(guó)際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè),資源整合、國(guó)際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國(guó)內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家加...
2019-10-12 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體材料 3512 0
摘要:InSb紅外焦平面探測(cè)器在中波紅外波段占據(jù)重要地位,但十字盲元問題嚴(yán)重降低了探測(cè)器的性能。通過聚焦離子束定位剝離手段,發(fā)現(xiàn)了十字盲元區(qū)域的銦凸點(diǎn)失...
2021-06-28 標(biāo)簽:探測(cè)器半導(dǎo)體材料 3464 0
在如今的半導(dǎo)體行業(yè)中,散熱幾乎可以說是除PPA(功耗、性能和面積)外最不能忽視一環(huán)。就拿移動(dòng)SoC為例,芯片過熱降頻的問題影響著市面任何一款智能手機(jī)。但...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 3460 0
日本關(guān)鍵半導(dǎo)體材料嚴(yán)格出口對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響分析
日本與韓國(guó)對(duì)于第二次世界大戰(zhàn)強(qiáng)制征用民工的問題無(wú)法達(dá)到共識(shí)以及妥善的處理,日本政府將祭出一連串的出口管制措施。
2019-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠 3369 0
產(chǎn)能翻番,安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”?
同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域,而碳化硅(SiC)則主要用在650V以上的高壓...
2020-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3362 0
在太陽(yáng)能電池中,一種被稱為鈣鈦礦的廉價(jià)且容易制造的材料非常擅長(zhǎng)將光子轉(zhuǎn)化為電能。
2020-01-24 標(biāo)簽:LED太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體材料 3360 0
著迷于變化的電場(chǎng)和變化的磁場(chǎng)構(gòu)成的那個(gè)不可分離的統(tǒng)一電磁場(chǎng),本人苦研電磁場(chǎng)十?dāng)?shù)年,現(xiàn)著手整理各種學(xué)習(xí)心得,并以連載的形式刊出。望與業(yè)界同仁分享,交流學(xué)習(xí)...
2021-10-15 標(biāo)簽:新能源汽車電磁干擾半導(dǎo)體材料 3337 0
上市企業(yè)2020年上半年業(yè)績(jī)快報(bào)(PCB部分)
【小編說】2020年已經(jīng)進(jìn)入第三季度,除了昨天發(fā)布的PCB上市企業(yè)財(cái)報(bào)之外,覆銅板、專用設(shè)備、專用材料、專用化學(xué)品和環(huán)保上市企業(yè)也相繼發(fā)布了財(cái)報(bào)。收入是...
2020-09-24 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體材料 3256 0
具有快響應(yīng)的自驅(qū)動(dòng)室溫運(yùn)轉(zhuǎn)的光電器件,實(shí)現(xiàn)了NIR-THz寬光譜探測(cè)
近日,天津大學(xué)姚建銓院士、張雅婷副教授、李依凡博士課題組提出利用 MAPbI3 /PEDOT:PSS復(fù)合材料制備了具有快響應(yīng)的自驅(qū)動(dòng)室溫運(yùn)轉(zhuǎn)的光電器件,...
2020-08-31 標(biāo)簽:光電器件半導(dǎo)體材料光譜 3211 0
中國(guó)氮化嫁(GaN)代表企業(yè)及業(yè)務(wù)
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料,興起于二十世紀(jì)五十年代,帶動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3204 0
作為第三代半導(dǎo)體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...
2021-05-18 標(biāo)簽:新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3192 0
韓國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快,RAM融資投產(chǎn)氟化氫擴(kuò)大供應(yīng)
據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),RAM Technology將在半導(dǎo)體原材料解決方案領(lǐng)域投資超過200億韓元,或?qū)镾K海力士增加高純度液態(tài)氟化氫供應(yīng)提供支持。RAM Te...
2019-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 3164 0
光伏是光生伏特效應(yīng)的簡(jiǎn)稱,而光伏發(fā)電則是利用這一效應(yīng)將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N發(fā)電方式。以下是關(guān)于光伏原理和光伏發(fā)電基本概念的介紹: 一、光伏原理 光伏...
2024-12-05 標(biāo)簽:光伏光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 3150 0
近日,清華大學(xué)電子工程系盛興研究組開發(fā)了一種基于疊層式紅、綠、藍(lán)三色(RGB)微型發(fā)光二極管(micro-LED)的器件陣列設(shè)計(jì),可用于全彩色照明和顯示...
2021-05-20 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體材料可穿戴設(shè)備 3149 0
在現(xiàn)代工業(yè)和科研領(lǐng)域,壓力測(cè)量是一項(xiàng)基礎(chǔ)且重要的工作。壓阻式壓力傳感器因其高精度、高穩(wěn)定性和良好的線性響應(yīng)而廣泛應(yīng)用于各種壓力測(cè)量場(chǎng)合。 1. 壓阻式壓...
2024-12-29 標(biāo)簽:電橋壓力傳感器半導(dǎo)體材料 3114 0
整個(gè)碳化硅(SiC)功率器件行業(yè)尚在起步階段。全球市場(chǎng)規(guī)模包括中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模都很小,2014年全球碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)規(guī)模為1.2億美元,相...
2017-08-14 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料Si功率器件 3067 5
使用AlN(氮化鋁)成功實(shí)現(xiàn)晶體管操作
在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...
2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2963 0
電阻器是電子電路中不可或缺的組件,它們的主要功能是限制電流的流動(dòng)和/或降低電壓。電阻器的性能和穩(wěn)定性在很大程度上取決于其制造材料和工藝。 電阻器材料 金...
2025-01-24 標(biāo)簽:電阻器半導(dǎo)體材料電子電路 2955 0
從產(chǎn)品及財(cái)務(wù)角度分析天科合達(dá)
據(jù)招股書顯示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...
2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 2936 0
β 相氧化鎵(β-Ga2O3)具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場(chǎng)和容易制備等優(yōu)勢(shì),是功率器件的理想半導(dǎo)體材料。但由于 β-Ga2O3價(jià)帶頂能級(jí)位置低、能帶色...
2024-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料導(dǎo)電 2916 0
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