半導體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，...

2023-02-13 標簽：集成電路工藝晶體管 1.6萬 0

8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標簽：半導體單晶SiC 3256 0

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構(gòu)建穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和界面

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學性能而受到廣泛關(guān)注，然而，單晶材料在高壓下循環(huán)會發(fā)生嚴重的晶格畸變和電極/...

2022-09-14 標簽：電化學單晶電容量 2880 0

如何制造單晶的晶圓

近年來全球硅晶圓供給不足，導致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個硅晶圓項目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進口...

2019-10-15 標簽：半導體晶圓單晶 2474 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標簽：單晶襯底加工技術(shù) 2207 0

GaN外延生長方法及生長模式

由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不...

2023-06-10 標簽：薄膜晶體單晶 1785 0

二維材料家族包含了哪些材料？

二維材料家族涵蓋了絕緣體、半導體、半金屬、金屬和超導體，是目前凝聚態(tài)物理和材料科學領(lǐng)域的研究熱點。制備高質(zhì)量的二維材料，特別是原子層量級的超薄材料，是開...

2020-06-05 標簽：絕緣單晶二維 1.4萬 0

我國SiC單晶生長設(shè)備和粉料獲新突破

近日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“...

2018-06-07 標簽：半導體單晶sic 8015 0

欣旺達的動力電池業(yè)務(wù)在2021年進入快車道

摘要 電池產(chǎn)品安全升級之后，欣旺達的動力電池業(yè)務(wù)在2021年進入快車道，有望在后期與更多主機廠達成合作，動力電池業(yè)務(wù)開始進入規(guī)模增長期。 日前，欣旺達電...

2021-05-25 標簽：電動汽車單晶bms 4623 0

信越化學即將研制成功300nm硅片以及實現(xiàn)SOI硅片的產(chǎn)品化

近日，據(jù)外媒報道，由于受到投資者的追捧，半導體材料商信越化學股價持續(xù)上漲，目前其市值已經(jīng)突破6萬億日元（約合3820億元人民幣）。

2020-10-27 標簽：半導體發(fā)光二極管單晶 4504 0

隆基股份與美國某公司簽訂單晶銷售合同,價值達6億美元

隆基股份發(fā)布公告稱，公司全資子公司隆基樂葉光伏科技有限公司(賣方)與美國某公司(買方)于2018年7月17日(北京時間)在美國簽署了組件銷售合同，就賣方...

2018-07-21 標簽：光伏單晶 4168 0

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標簽：晶體單晶氧化鎵 4058 0

米級單晶石墨烯技術(shù)再獲突破,20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸外延單晶

最近，在量子調(diào)控與量子信息重點專項項目的支持下，北京大學劉開輝研究員、俞大鵬院士、王恩哥院士及其合作者，繼2016年首次實現(xiàn)石墨烯單晶的超快生長之后，在...

2017-11-23 標簽：單晶石墨烯 3966 0