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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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用于實(shí)時監(jiān)測流動水中毒素的可擴(kuò)展石墨烯傳感器陣列
飲用水的風(fēng)險管理通常需要對流動水中的各種毒素進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測。
2023-07-18 標(biāo)簽:電容器FET場效應(yīng)晶體管 444 0
電場激活原位摻雜平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片
北京理工大學(xué)光電學(xué)院紅外量子點(diǎn)團(tuán)隊聯(lián)合中芯熱成科技(北京)有限責(zé)任公司(簡稱:中芯熱成)開發(fā)了一種可控的電場激活原位摻雜方法
一種便攜式雙電極智能血糖儀可高靈敏度監(jiān)測血糖濃度
近年來,人們對葡萄糖傳感方法(例如光學(xué)、電化學(xué)和場效應(yīng)晶體管(FET)器件)進(jìn)行了廣泛的研究。
2023-07-12 標(biāo)簽:發(fā)光二極管FET場效應(yīng)晶體管 1318 0
二維Bi?O?Se光電特性及其光電子器件研究進(jìn)展綜述
二維(2D)材料由于其超薄的厚度、高度的機(jī)械柔性、可調(diào)諧的帶隙以及易于定制的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于通信、紅外探測、航空航天以及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
2023-07-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管光電探測器TMD 1891 0
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,&q...
2023-06-02 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2039 0
半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造的90°混合器。HMC520AHMC520A是混合型圖像拒絕器的一個較小的替代品。混頻器和單邊帶上變頻器組件的...
2023-05-23 標(biāo)簽:混頻器場效應(yīng)晶體管 960 0
在比利時安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上,英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展,最有趣的是英特爾...
2023-05-20 標(biāo)簽:晶體管FET場效應(yīng)晶體管 691 0
生物傳感器(Biosensor)是一種用于檢測生物分子并將其濃度轉(zhuǎn)換為可用信號的分析裝置,其通常有兩個主要組成部分
2023-04-28 標(biāo)簽:熱敏電阻信號轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1875 0
全新二維半導(dǎo)體垂直鰭片/高介電自氧化物外延集成架構(gòu)
工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞3 nm以后,垂直鰭片溝道架構(gòu)的新器件開發(fā)仍備受關(guān)注,人們正在考慮制造基于垂直鰭式結(jié)構(gòu)開發(fā)垂直圍柵器件(VGAA)或垂直傳輸場效應(yīng)晶體...
2023-03-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件場效應(yīng)晶體管 2157 0
一種用于檢測SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器
隨著新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)的傳播,對快速、準(zhǔn)確檢測和篩查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。
2023-03-27 標(biāo)簽:傳感器FET場效應(yīng)晶體管 1447 0
基于硅納米線場效應(yīng)晶體管的ALT生物傳感器檢測平臺
頻繁檢測血清丙氨酸氨基轉(zhuǎn)移酶(ALT)的活性對于預(yù)防藥物性肝損傷(DILI)至關(guān)重要。
2023-03-08 標(biāo)簽:晶體管Alt場效應(yīng)晶體管 1273 0
臺積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 標(biāo)簽:臺積電晶體管場效應(yīng)晶體管 680 0
隨著我國武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級提升,對IGBT模塊的需求劇增,IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模...
2023-02-01 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管陶瓷基板 5962 0
根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異,應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變(Biaxial Strain,在晶片表面的x和y兩個方向上形成相對一致的應(yīng)力)和單軸應(yīng)變 (Uniaxi...
2022-11-28 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管晶格 1.0萬 0
為了提高隧道開關(guān)器件在 ON/OFF 電流比、亞閾值擺幅和 ON 電流密度方面的性能,一些研究試圖開發(fā)僅使用硅和 III-V 半導(dǎo)體或 2D 半導(dǎo)體的器件。
2022-11-10 標(biāo)簽:三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 1505 0
隧道場效應(yīng)晶體管 (Tunneling FET, TFET) 比傳統(tǒng)的 CMOS 場效應(yīng)晶體管具有更優(yōu)異的開關(guān)特性,更適用于超低功耗的電路。TEFT ...
2022-09-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管晶格 1724 0
飛虹N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管FHA28N50W可替代ON場效應(yīng)管品牌
究竟是怎樣的場效應(yīng)管參數(shù)才能做到既能適配高頻開關(guān)電源與逆變電源都經(jīng)常使用呢?它是具備TO-3PN封裝、28A、500V電流、電壓的MOS管。
2022-09-13 標(biāo)簽:封裝場效應(yīng)晶體管電荷 3737 0
鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動能力
鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)是立體多柵器件的一種,其主要特征是由魚鰭形(Fin)的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道,并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。
2022-09-09 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 3201 1
根據(jù)溝道摻雜類型的不同,MOSFET分為nMOSFET和pMOSFET兩種,兩者組合在一起即為互補(bǔ)型MOS(Complementary MOS,CMOS...
2022-09-08 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場效應(yīng)晶體管 1129 0
講一講MOS的概念、工作原理、分類以及相關(guān)應(yīng)用
MOS的英文全稱就是MOSFET,其中后綴FET是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫,F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來...
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