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標(biāo)簽 > 基本半導(dǎo)體
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。
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基本半導(dǎo)體亮相2025國(guó)際太陽(yáng)能光伏和智慧能源展覽會(huì)
6月11-13日,全球光儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)——SNEC PV&ES 第十八屆(2025)國(guó)際太陽(yáng)能光伏和智慧能源&儲(chǔ)能及電池技術(shù)與裝備(上海...
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 67 0
基本半導(dǎo)體亮相2025未來(lái)汽車先行者大會(huì)
近日,2025粵港澳大灣區(qū)車展在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來(lái)汽車先行者大會(huì)上,基本半導(dǎo)體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
2025-06-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET基本半導(dǎo)體 205 0
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 327 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案...
2025-05-09 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 330 0
基本半導(dǎo)體參加深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)
近日,深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)——“智馭未來(lái)”交流會(huì)在坪山青銅劍科技大廈舉行。近50家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)、金融機(jī)構(gòu)、高校及產(chǎn)業(yè)投資方齊...
2025-04-08 標(biāo)簽:碳化硅智能網(wǎng)聯(lián)汽車基本半導(dǎo)體 281 0
革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為...
基本半導(dǎo)體榮獲麥田能源2024年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
近日,基本半導(dǎo)體憑借出色的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù),再次獲得客戶的高度認(rèn)可,榮獲由麥田能源頒發(fā)的2024年度“最佳供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)基本半導(dǎo)...
2025-01-21 標(biāo)簽:逆變器儲(chǔ)能系統(tǒng)基本半導(dǎo)體 598 0
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日,由國(guó)家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會(huì)在深圳隆重召開。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要,經(jīng)深圳市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù),公司名稱正式變更為...
2024-11-18 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 315 0
基本半導(dǎo)體榮獲禾望電氣“最佳合作獎(jiǎng)”
近日,基本半導(dǎo)體憑借卓越的產(chǎn)品性能和出色的服務(wù)能力,成功榮獲深圳市禾望電氣股份有限公司(股票代碼:603063)頒發(fā)的2023年度“最佳合作獎(jiǎng)”。這一榮...
2024-11-13 標(biāo)簽:光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 998 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證
近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...
基本半導(dǎo)體攜汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相TMC 2024
7月4-5日,由中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)主辦的第十六屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC 2024)在青島盛大舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下全系汽車級(jí)碳化硅功率模塊等產(chǎn)品亮相...
2024-07-08 標(biāo)簽:碳化硅汽車動(dòng)力系統(tǒng)基本半導(dǎo)體 828 0
基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析
充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域,碳化硅應(yīng)用處于快速增長(zhǎng)階段,預(yù)計(jì)到2025年將提升至35%,市場(chǎng)規(guī)模...
2024-07-04 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1204 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證,為汽車電子注入新動(dòng)力
近日,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
2024-06-26 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1246 0
基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)
6月19-20日,2024第四屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海隆重舉辦。在同期舉辦的2024中國(guó)優(yōu)秀電驅(qū)動(dòng)企業(yè)&優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)盛典上,基本...
2024-06-21 標(biāo)簽:功率器件SiC基本半導(dǎo)體 974 0
基本半導(dǎo)體亮相SNEC上海光伏展,展示創(chuàng)新功率器件
6月13日至15日,備受矚目的SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在上海的國(guó)家會(huì)展中心盛大舉行。此次展會(huì)集結(jié)了全球光伏產(chǎn)業(yè)鏈...
2024-06-15 標(biāo)簽:光伏功率器件基本半導(dǎo)體 917 0
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展
? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會(huì)匯聚了超過(guò)3500家全球光...
基本半導(dǎo)體登上央視財(cái)經(jīng)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)大講堂》
5月19日,央視財(cái)經(jīng)頻道《中國(guó)經(jīng)濟(jì)大講堂》特別策劃《產(chǎn)業(yè)鏈中堅(jiān)話強(qiáng)鏈》系列節(jié)目,特邀國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新能源汽車”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組專家、比亞迪集團(tuán)首席...
深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)
具體來(lái)說(shuō),該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內(nèi)...
2024-04-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1099 0
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