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標簽 > 存儲控制器
存儲控制器是按照一定的時序規(guī)則對存儲器的訪問進行必要控制的設(shè)備,包括地址信號、數(shù)據(jù)信號以及各種命令信號的控制,使主設(shè)備(訪問存儲器的設(shè)備)能夠根據(jù)自己的要求使用存儲器上的存儲資源。
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得一微科創(chuàng)板IPO獲受理!2021年營收翻漲2.6倍,募資12.24億研發(fā)下一代PCIe及eMMC存儲控制器產(chǎn)品
電子發(fā)燒友報道(文/劉靜)11月29日晚間,存儲控制芯片公司得一微電子股份有限公司(簡稱:得一微)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理。 ? ? 得一微的前身是深圳...
2022-12-02 標簽:存儲控制器 2886 0
國科微全自研國產(chǎn)-M系列密碼產(chǎn)品全面上市
在“固態(tài)存儲·中國設(shè)計·賦能百業(yè)”概念的引領(lǐng)下,國科微存儲全力提速產(chǎn)品及解決方案的各項技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新。近日,國科微存儲宣布全自研國產(chǎn)-M系列密碼產(chǎn)品全面...
基于 ZYNQ 實現(xiàn)復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)非常便利,其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣泛,本文來從對 ZYNQ 芯片架構(gòu)的理解來談?wù)剛€人體會。
2021-04-28 標簽:嵌入式系統(tǒng)處理系統(tǒng)存儲控制器 4981 0
日前,中國芯片巨頭紫光國芯取得芯片技術(shù)上的新突破。據(jù)筆者了解,紫光國芯推出了首個基于12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口,控制器芯片速率可達16...
紫光國芯發(fā)布12納米低功耗GDDR6存儲控制器和物理接口IP
根據(jù)西安紫光國芯半導(dǎo)體的消息,紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES(格芯)舉辦的中國全球科技會議上正式發(fā)布了基于格芯12納米低功耗工藝(GF 12L...
最高性能的Arm Cortex-R處理器驅(qū)動計算型存儲的未來
物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)量預(yù)計在2025年將超過79 ZB[1],而數(shù)據(jù)真正的價值來自于數(shù)據(jù)所產(chǎn)生的洞見。基于提高安全性、延遲性以及能源效率的考量,數(shù)據(jù)洞見的處理越接...
2020-09-04 標簽:處理器arm物聯(lián)網(wǎng) 1528 0
將連接到存儲控制器上的所有開關(guān)電路進行重置恢復(fù)SET接口沒有被觸發(fā)時的狀態(tài),可連接至其他供電設(shè)備或控制器及開關(guān)上。
美高森美憑借24G SAS和PCIe Gen 4三模式存儲控制器技術(shù) 引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新
16納米控制器將會為PCIe Gen 4數(shù)據(jù)中心充分發(fā)揮存儲基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)的全部潛能。
存儲控制器國產(chǎn)化“芯”路障礙重重,實現(xiàn)自主迫在眉睫
今年中國“芯”尤為刺眼,我國芯片產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀更是扎心。近日,三星美光海力士壟斷存儲器芯片市場的調(diào)查依然在繼續(xù),這件事也警示著存儲控制器國產(chǎn)化有多重要。
2018-06-06 標簽:存儲控制器 3440 0
對于HDS,由于一個lun是同時受兩個sp控制的,所以兩個sp都能看到該lun。HDS的兩個控制器對于單個LUN是真正實現(xiàn)了雙active。
Molex推出 Nano-Pitch I/O? 80 電路互連系統(tǒng)
(新加坡 – 2016 年3月15日) Molex 公司推出 Nano-Pitch I/O? 80 電路互連系統(tǒng),在最小的可用封裝內(nèi)具有超高的端口密度(...
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