寬禁帶

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寬禁帶技術(shù)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵 GaN 7207 0

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-01-11 標(biāo)簽：激光器氮化鎵 adas 5488 0

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和...

2020-10-10 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)安森美半導(dǎo)體寬禁帶 3847 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 2964 0

硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy...

2022-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱導(dǎo)率寬禁帶 2329 0

IGBT器件失效模式的影響分析

功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條件等。

2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT 晶體管寬禁帶 1736 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標(biāo)簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 1715 0

相控陣?yán)走_(dá)性能的基石：寬禁帶半導(dǎo)體

現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。

2016-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子寬禁帶 1415 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1372 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用，是現(xiàn)代設(shè)計(jì)中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動(dòng)器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí)，這種電路的優(yōu)勢(shì)...

2020-08-31 標(biāo)簽：示波器功率器件探頭 1367 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

2023-02-03 標(biāo)簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1193 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 SiC GaN 1164 0

金剛石憑什么那么強(qiáng)大？

說(shuō)起“Diamond”給人第一印象是什么？無(wú)疑是高貴優(yōu)雅，晶瑩剔透，尤其對(duì)于女性來(lái)說(shuō)鉆石是充滿誘惑的，正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...

2023-02-02 標(biāo)簽：金剛石半導(dǎo)體器件寬禁帶 1063 0

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb 功率器件 SiC 999 0

淺談伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)未來(lái)開(kāi)發(fā)趨勢(shì)

總體來(lái)看，伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)是：體積減小，質(zhì)量減輕，并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速；提高響應(yīng)性，縮短調(diào)整時(shí)間；提高了整定性能，使調(diào)諧趨于簡(jiǎn)單便利；提高了擴(kuò)展...

2023-02-15 標(biāo)簽：伺服驅(qū)動(dòng)寬禁帶 983 0

寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測(cè)試解決方案

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子設(shè)備對(duì)性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(...

2024-08-14 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體寬禁帶 838 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶 804 0

氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過(guò)調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...

2025-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮氧化 578 0

寬禁帶技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率...

2025-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器泰克科技 405 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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