散熱器形狀對(duì)傳導(dǎo)騷擾的EMC測(cè)試案例

基頻的諧波信號(hào)產(chǎn)品的諧波電平幅度隨頻率的關(guān)系如下圖所示，這些諧波電平會(huì)傳遞到電源線上形成傳導(dǎo)騷擾，從前面測(cè)試超標(biāo)的頻譜圖也正好驗(yàn)證了超標(biāo)的頻點(diǎn)來(lái)自于開關(guān)電源。

2023-11-03 標(biāo)簽：開關(guān)電源充電器散熱器 1008 0

如何解決三相非隔離DCAC EMI的傳導(dǎo)問(wèn)題？

上圖是帶阻感負(fù)載的三相無(wú)變壓器型兩電平PCS，考慮寄生參數(shù)的拓?fù)湓韴D。C2為直流側(cè)寄生電容，N為負(fù)載中性點(diǎn)。

2023-10-18 標(biāo)簽：三相變壓器寄生電容共模電壓 1006 0

射頻中的金屬線的作用

工程中要謹(jǐn)慎設(shè)計(jì),合理使用金屬導(dǎo)線的電感。 金屬導(dǎo)線可以看作一個(gè)電極,它與地線或其他電子元件之間存在一定的電容量,這個(gè)電容對(duì)射頻/微波電路的工作性能也會(huì)...

2023-08-20 標(biāo)簽：電阻射頻電容 994 0

超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型

寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管電源電壓寄生電容 971 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容 968 0

開關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)分享

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 943 0

高速PCB過(guò)孔的使用

過(guò)孔的寄生電容延Κ了電路中信號(hào)的上升時(shí)問(wèn)，降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB，使用內(nèi)徑為10mil，焊盤直徑為20mil的過(guò)孔，內(nèi)層電氣...

2023-09-01 標(biāo)簽：電氣寄生電容過(guò)孔 926 0

薄膜貼片式電阻具有良好的射頻特性

在低頻電子學(xué)中，最普通的電路元件就是電阻，它的用途非常廣泛，主要是將電能轉(zhuǎn)換成熱能產(chǎn)生壓降。

2022-11-12 標(biāo)簽：貼片電阻SMD寄生電容 924 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(2)-3

自動(dòng)調(diào)整過(guò)程 (Auto Tuning Process) 完成前四步準(zhǔn)備工作后，開始第五步。

2024-03-12 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 912 0

運(yùn)放OP閉環(huán)電路小信號(hào)分析中常見的問(wèn)題

這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號(hào)分析中常見的問(wèn)題。有時(shí)候我們發(fā)現(xiàn)stb分析（β=1）的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大，且兩者的零極點(diǎn)位置...

2023-07-14 標(biāo)簽：放大電路運(yùn)放小信號(hào) 860 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)（3）

在本實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)中，將在Lab session 1的基礎(chǔ)上，增加MEC多電極連接功能，12個(gè)按鍵電極將在內(nèi)部連接在一起，作為一個(gè)MEC電極工作，此時(shí)不識(shí)別1...

2024-03-28 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 850 0

半大馬士革工藝:利用空氣隙減少寄生電容

本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個(gè)過(guò)程中，中道（MEOL）金...

2024-11-19 標(biāo)簽：電容寄生電容 849 0

如何通過(guò)有源器件實(shí)現(xiàn)低功耗及小的芯片面積呢？

高速SerDes的數(shù)據(jù)和時(shí)鐘通路上需要很多buffer，傳統(tǒng)CML buffer的有限帶寬往往限制系統(tǒng)的奈奎斯特頻率

2023-10-31 標(biāo)簽：寄生電容CMOS工藝CML 842 0

電源MOS管緩啟動(dòng)的應(yīng)用分析

熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...

2024-04-29 標(biāo)簽：連接器MOS管寄生電容 835 0

晶振的三個(gè)電容的含義

負(fù)載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個(gè)振蕩回路的全部有效電容的總和。這個(gè)CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，...

2024-01-24 標(biāo)簽：電容晶振寄生電容 804 0

求一種2MHz低通濾波器行為級(jí)設(shè)計(jì)方案

截止頻率：2MHz；過(guò)渡帶寬度：小于1MHz；阻帶衰減：大于30dB；通帶紋波：小于1dB

2023-10-25 標(biāo)簽：低通濾波器晶體管寄生電容 728 0

提升PCB板Layout質(zhì)量的6個(gè)細(xì)節(jié)

現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來(lái)完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標(biāo)簽：PCB板Layout寄生電容 720 0