雙向可控硅的特點及應(yīng)用 雙向可控硅觸發(fā)電路設(shè)計技巧

雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三...

2024-02-26 標簽：可控硅光電耦合器雙向可控硅 8.3萬 0

獨家揭秘：三極管電路基極和發(fā)射極為什么需要并聯(lián)電容？容值如何計算？

核心的思路就是BE電容和BC寄生電容分壓要小于BE導(dǎo)通電壓，避免誤導(dǎo)通。

2024-05-27 標簽：發(fā)射極基極寄生電容 5.4萬 0

寄生電容干擾的產(chǎn)生原因及消除方法

盡管流行的電容器有十幾種，包括聚脂電容器、薄膜電容器、陶瓷電容器、電解電容器，但 是對某一具體應(yīng)用來說，最合適的電容器通常只有一兩種，因為其它類型的電容...

2018-01-31 標簽：寄生電容 4.5萬 0

測量寄生電容與寄生電感

電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達1米的金屬薄膜卷...

2018-01-31 標簽：寄生電容寄生電感 4.4萬 0

寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么

本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測量儀的設(shè)計和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計算以及使用。

2018-03-28 標簽：寄生電容寄生電感 4.3萬 0

壓敏電阻一般并聯(lián)在電路中到底該如何使用

壓敏電阻(MOV)是以氧化鋅(ZnO) 為主要成分的非線性電阻元件，該元件浪涌電流耐量及非線性系數(shù)非常大，在

2017-09-13 標簽：壓敏電阻保險管寄生電容 3.9萬 0

共射、共集、共基放大電路原理圖詳解

在電子電路中，放大電路是一種常見的電路類型，其主要功能是將輸入信號的幅度放大到一定的程度。根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)和連接方式的不同，放大電路可以分為共射、共...

2023-12-31 標簽：三極管寄生電容單晶體 3.5萬 0

具體分析RLC諧振電路

RLC諧振電路，分為RLC 電路的串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振，下面主要從這兩種諧振電路形式來具體分析。

2023-06-08 標簽：濾波電路emc諧振電路 2.8萬 0

PCB焊盤寄生電容的計算公式與設(shè)計標準

在布線較密的情況下，推薦采用橢圓形與長圓形連接盤。單面板焊盤的直徑或最小寬度為1.6mm；雙面板的弱電線路焊盤只需孔直徑加0.5mm即可，焊盤過大容易引...

2018-01-31 標簽：PCBPCB焊盤寄生電容 2.7萬 0

大規(guī)模生產(chǎn)中如何測量觸摸屏電容值

使用高分辨率SAR ADC的好處是無需模擬域的相位和幅度檢測，這可以由處理器或FPGA來完成，靈活性更大，性能更好。當然，也可以只使用一個ADC，利用S...

2018-03-27 標簽：adi觸摸屏寄生電容 2.7萬 0

MOS結(jié)電容（上）MOS里的寄生電容到底是什么？

EE工程師都會面臨MOSFET的選型問題，無論是功率級別應(yīng)用的Power MOS還是信號級別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一...

2023-12-05 標簽：MOSFETMOS管PN結(jié) 2.5萬 0

如何消除寄生電容的影響

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很...

2018-01-31 標簽：寄生電容 2.3萬 0

LLC諧振變換器的工作原理

上圖所示為LLC諧振變換器的工作原理圖，由圖中我們知道LLC即為諧振槽參數(shù)：諧振電感Lr，諧振電容Cr，激磁電感Lm；其中，諧振電感和激磁電感都可以整合...

2023-03-22 標簽：原理圖等效電路寄生電容 2.2萬 0

寄生電容與分布電容的區(qū)別

分布電容強調(diào)的是均勻性。寄生跟強調(diào)的是意外性，指不是專門設(shè)計成電容，卻有著電容作用的效應(yīng)，比如三極管極間電容。單點說，兩條平行走線之間會產(chǎn)生分布電容，元...

2019-04-30 標簽：電容寄生電容分布電容 2.2萬 1

MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度

我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容C...

2021-01-08 標簽：MOSFET寄生電容射隨器 1.9萬 0

淺談CDM的原因與機理

CDM(Charge Device Model)，與MM與HBM一起作為ESD的三種類型之一。隨著IC工藝進程的發(fā)展與自動化生產(chǎn)流程的普及，CDM已經(jīng)取...

2023-05-16 標簽：ESDCDM寄生電容 1.7萬 0