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設計圖樣上所采用的基準稱為設計基準。如圖下圖所示的箱體,A、B為孔中心位置的尺寸,其設計基準為①、②面,它們在圖上反映出來的是線。孔徑D的設計基準為軸線...
等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕,等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體...
PCB的保存和烘烤時間跟地區有很大的關系,在南方濕氣一般比較重,特別是在廣東和廣西這些地區,在每年的三四月份會出現有“回南天”的天氣,每天陰雨連綿,這時...
激光退火系統采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點溫度。由于硅的高導熱性,硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統可以在離...
裝片又稱黏片。廣義的裝片是指通過精密機械設備將芯片或其他載體,利用粘貼介質將其固定在為達成某種功能而構建的平臺、腔體或任意材料組成的器件內。狹義的裝片是...
高壓氧化必須使用特殊的硬件條件,下圖是高壓氧化系統的說明圖。由于硬件條件的復雜性和安全因素,先進半導體生產中并不常使用高壓氧化技術。
電子發燒友網報道(文/李寧遠)射頻連接器作為一種電連接器,設計用于在兆赫茲范圍內的無線電頻率下工作。射頻連接器作為電子連接器的細分類別,一直是連接器這個...
模具溫度40~50℃,注射壓力:200~600bar,注射速度建議使用快速的注射速度,流道和澆口可以使用所有常規類型的澆口。PS料在加工前,除非儲存不當...
自 20 世紀 80 年代發展至今,IGBT 芯片經歷了 7 代技術及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
壓延銅箔(Rolled Copper Foil,RA)是將銅板經過多次重復輥軋而制成的原箔(也叫毛箔),根據要求進行粗化處理。壓延銅箔使用物理鍛造法制造...
隨著薄膜產品對品質和性能指標要求的增加,現代等離子體薄膜沉積工藝必須考慮到電弧不可避免的影響,并將盡可能減輕電弧導致的損壞。對于大多數等離子體工藝而言,...
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