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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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我們經(jīng)常看到報(bào)道上說芯片制程達(dá)到了14nm、7nm、5nm,最近中芯國際在沒有ASML的EUV光刻機(jī)的情況下,實(shí)現(xiàn)了7nm的制程,有很多人對(duì)此感到很興奮。
初識(shí)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
我們都知道計(jì)算機(jī)的核心是處理器,處理器由大量的晶體管(transistor)構(gòu)建而成。最新的微處理器包含了超過20億個(gè)晶體管,即使是功能非常簡單的微處理...
下面介紹三極管在開關(guān)方面的作用,以SS8050三極管為例,這種一種普遍用于功率放大電路的三極管,與SS8550 互補(bǔ)。8050是一種低電壓、大電流、小信...
納米電子學(xué)的“模擬助推器”,進(jìn)一步改善晶體管
蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的兩個(gè)研究小組開發(fā)了一種方法,可以逼真,快速,高效地模擬納米電子器件及其性能。
2020-04-14 標(biāo)簽:晶體管 1726 0
硅發(fā)光二極管誕生,電腦的性能將進(jìn)一步得到提升
大約50年前,英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)預(yù)測(cè),計(jì)算機(jī)芯片中封裝的晶體管數(shù)量每兩年就會(huì)翻一番。
在介紹輸出信號(hào)Y時(shí),我們先來說下三菱FX系列的輸出類型,在輸出規(guī)格中常見的兩種輸出有繼電器類型和晶體管類型,可以在PLC側(cè)邊分辨。
納米光子學(xué)領(lǐng)域的研究人員一直在努力開發(fā)光學(xué)晶體管,這是未來光學(xué)計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵組件。
Cerebras發(fā)布了Wafer Scale Engine,一種人工智能芯片
Cerebras今天發(fā)布了Wafer Scale Engine,這是一種人工智能芯片,其尺寸是Nvidia Corp.旗艦V100數(shù)據(jù)中心圖形卡的57倍...
單原子層溝道的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研發(fā)可提高器件性能
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等,有時(shí)特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。
詳細(xì)解析芯片里的眾多晶體管是如何實(shí)現(xiàn)的
如今隨著芯片制程的不斷提升,芯片中可以有100多億個(gè)晶體管,如此之多的晶體管,究竟是如何安上去的呢?
五年前,AMD似乎不太可能超越領(lǐng)先的競(jìng)爭對(duì)手英特爾,但事實(shí)恰恰是這樣,這不是最初的Zen架構(gòu),而是去年Zen 2的推出使納米級(jí)轉(zhuǎn)變?yōu)?納米。
mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析
轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線,將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...
EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
離線式電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著越來越多的產(chǎn)品將典型的家庭功能集成在內(nèi),業(yè)界對(duì)輸出能力在1W以下的小功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對(duì)...
2020-04-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源晶體管 2310 0
EPFL研究人員研制納米器件,速度是當(dāng)前晶體管的100倍
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
新納米級(jí)設(shè)備比晶體管運(yùn)行速度快十倍
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)...
因?yàn)榇蠖鄶?shù)芯片都是5V的TTL電平,要做到電平兼容,電平匹配,避免要電平轉(zhuǎn)換操作,所有很多單片機(jī)的工作電壓都是5V。早期(196x)的晶體管電路(TTL...
盤點(diǎn)MOS管檢測(cè)好壞的五大應(yīng)用方法
MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate...
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