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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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業(yè)界再一次出現(xiàn)對(duì)晶圓級(jí)處理器的商業(yè)嘗試
這家公司的答案是,全世界需要更多,更便宜的訓(xùn)練計(jì)算資源。而訓(xùn)練也需要幾分鐘而不是幾個(gè)月,為此,您需要更多內(nèi)核,更多靠近這些內(nèi)核的內(nèi)存,以及內(nèi)核之間的低延...
Cerebras Systems宣布推出有史以來(lái)最大的芯片Wafer Scale Engine
大多數(shù)芯片是在12英寸硅晶圓上制造的,并在芯片工廠中批量處理。但Cerebras Systems芯片是在單個(gè)晶圓上通過(guò)互聯(lián)實(shí)現(xiàn)的單芯片。這些互連設(shè)計(jì)使其...
全球最大AI芯片:46225mm2,1.2萬(wàn)億晶體管
目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心,集成了211億晶體管(核心面積815mm2)。WSE芯片晶體管數(shù)量是這個(gè)最大的GPU...
中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)新突破,成功研發(fā)3納米晶體管
最近,國(guó)產(chǎn)芯片一直是個(gè)熱議的話題,隨著科技的發(fā)展,芯片在我們?nèi)粘I钪械膽?yīng)用無(wú)處不在,最常見(jiàn)的就是我們的手機(jī)芯片。
電路模擬是 FPGA 的經(jīng)典主流用例,這也是 FPGA 最早出現(xiàn)的原因。FPGA 的關(guān)鍵在于硬件設(shè)計(jì)是用 HDL 形式編碼的,而且買一些便宜的硬件就可以...
提高頻率是減小尺寸的一種行之有效的方法。對(duì)于移動(dòng)系統(tǒng)而言,實(shí)現(xiàn)高效解決方案同樣重要,這是延長(zhǎng)電池壽命的關(guān)鍵因素。通過(guò)單芯片集成,如增強(qiáng)型氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)...
GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵的下一個(gè)性能飛躍
這評(píng)估板的優(yōu)勢(shì)包括顯著減小損耗、重量、尺寸(布板尺寸可減小達(dá)80%)和系統(tǒng)成本(可節(jié)省達(dá)60%的BOM成本),非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...
2019-11-29 標(biāo)簽:晶體管安森美半導(dǎo)體氮化鎵 5653 0
研究麒麟990 5G芯片,并公布了其內(nèi)核照片、尺寸面積
根據(jù)測(cè)量,麒麟990 5G的面積為10.68×10.61=113.31平方毫米,集成了多達(dá)103億個(gè)晶體管,是世界上第一個(gè)晶體管數(shù)量過(guò)百億的移動(dòng)SoC。
密歇根大學(xué)團(tuán)隊(duì)將晶體管陣列直接堆疊在硅芯片
用于計(jì)算機(jī)處理器的硅集成電路正在接近單芯片上晶體管的最大可行密度,至少在二維陣列中情況是這樣的。現(xiàn)在,密歇根大學(xué)的一個(gè)工程師團(tuán)隊(duì)已經(jīng)將第二層晶體管直接堆...
今年 8 月,集成 1.2 萬(wàn)億個(gè)晶體管的“史上最大芯片”The Cerebras Wafer Scale Engine(以下簡(jiǎn)稱 WSE)誕生,在 1...
在此圖中,它同時(shí)使用了收集器作為反饋和發(fā)射極反饋以獲得更高的穩(wěn)定性。由于發(fā)射極電流Ie的流動(dòng),發(fā)射極電阻Re兩端會(huì)出現(xiàn)電壓降,因此發(fā)射極基極結(jié)將為正向偏...
2019-12-06 標(biāo)簽:晶體管 8.2萬(wàn) 0
世界第一的芯片性能強(qiáng)悍,40萬(wàn)核心1.2萬(wàn)億晶體管
今年9月份,半導(dǎo)體企業(yè)Cerebras Systems發(fā)布的世界最大芯片“WSE”震撼行業(yè),臺(tái)積電16nm工藝制造的它擁有46225平方毫米面積、1.2...
關(guān)于全球模擬半導(dǎo)體與晶體管的市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
據(jù)iSuppli公司,雖然全球模擬半導(dǎo)體與晶體管市場(chǎng)形勢(shì)趨于穩(wěn)定,需求上升而且價(jià)格下降速度放緩,但距離真正的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇仍很遙遠(yuǎn)。
直到最近,功率模塊市場(chǎng)仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來(lái)了 S...
據(jù)iSuppli公司,雖然全球模擬半導(dǎo)體與晶體管市場(chǎng)形勢(shì)趨于穩(wěn)定,需求上升而且價(jià)格下降速度放緩,但距離真正的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇仍很遙遠(yuǎn)。
我國(guó)科學(xué)家將石墨烯作為基區(qū)材料,為實(shí)現(xiàn)超高速晶體管奠定基礎(chǔ)
近年來(lái),石墨烯作為性能優(yōu)異的二維材料備受關(guān)注,人們提出將石墨烯作為基區(qū)材料制備晶體管,其原子級(jí)厚度將消除基區(qū)渡越時(shí)間的限制,同時(shí)其超高的載流子遷移率也有...
Intel還在努力推進(jìn)7nm工藝,最快2021年量產(chǎn)
7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn),而且是高性能工藝,其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝,而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝,意義重大。
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