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中南大學周江教授Angewandte Chemie廢富鎳正極直接升級為富鋰單晶正極的通用熔鹽法!
為了獲得進一步的認識,實時記錄晶體結構的演變對于研究單晶和富鋰產物的形成機制至關重要。圖2a顯示了在空氣氣氛中從30℃到800℃合成過程中原位x射線衍射...
石墨烯加熱膜采用二維原子晶體-石墨烯來發熱。石墨烯是一層密集的、包裹在蜂巢晶體點陣上的碳原子,厚度僅有0.34nm。石墨烯具有許多優異的特性,比如高的...
本文通過FDTD Solutions建立Ⅱ類超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型,通過改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜,經由仿真結果選擇合適的膜系及...
阿姆斯特丹大學Peter Schall聯合紐約大學 Zhe Gong等制備出膠體石墨烯,闡明了這種2D材料的結晶和缺陷形成的途徑,使用吸附在基底上的偽三...
結構表征揭示,在CO2的輔助下,La2CuO4鈣鈦礦氧化物中的La位點能夠從晶格中脫出溶解,誘導了晶格中Cu位點的還原和重排,最終形成富含晶界的多晶銅納...
曹原導師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實現開關超導性
低溫傳輸測量證明了高質量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎混合室溫度為40 mK時使...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上(ACS Nano,2021,15:16654),經過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
層狀鈣鈦礦La4NiLiO8中氧空位/間隙能夠有效抑制表面晶格中高活性氧釋放,從而提高了電池安全性能,緩解了超高鎳層狀氧化物正極材料LiNi0.9Co0...
InAs/GaSb Ⅱ類超晶格近年來得到迅速的發展,是最有前景的紅外光電探測材料之一。隨著探測器像元中心距不斷減小,對于臺面結器件,其側壁漏電將占據主導...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結構,可以...
二類超晶格(type-II superlattice,T2SL)主要是由III-V族銻化物組成的,自從問世以來,由于其晶格穩定性好,能帶可調,器件均勻性...
二類超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科學家于1977年提出隨后他們對InAs/GaSb二類超晶格的能帶結構進行了理論計算...
可溶性多硫化鋰(LiPSs)在電極間的穿梭效應和反應動力學緩慢導致極低效率和高電流循環穩定性差,限制了鋰硫電池的商業化應用。
基于柔性的氫鍵有機框架與Ti3C2Tx MXene相連復合物用于碘的負載
最近,可充電的鋰/鈉-碘電池(Li/Na-I2)作為一種有前途的儲能系統而出現,它具有2.9 V的高平均工作電壓和211 mAh g-1的高理論比容量,...
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