臺(tái)面刻蝕深度對(duì)埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對(duì)
臺(tái)面刻蝕深度對(duì)埋柵型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實(shí)驗(yàn)
研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，隨著
臺(tái)面刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來(lái)的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
）。平面光波導(dǎo)技術(shù)是在集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，有其獨(dú)特的地方。集成電路的基本元件是電阻、電容、電感和晶體管（二極管、三極管），集成電路技術(shù)是在硅襯底上通過(guò)薄膜沉積、擴(kuò)散、外延、光刻、刻蝕、退火等
2018-02-22 10:06:53
本文以液晶顯示器技術(shù)為主軸，談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">平面顯示器的技術(shù)發(fā)展與實(shí)驗(yàn)室中的研究方向。
2021-06-07 07:01:51
或氧氣等離子體轟擊樣品的表面，探測(cè)樣品表面溢出的荷電離子或離子團(tuán)來(lái)表征樣品成分。可以對(duì)同位素分布進(jìn)行成像，表征樣品成分；探測(cè)樣品成分的縱向分布Ota等用TOF—SIMS技術(shù)研究了亞硫酸乙烯酯作為添加劑
2016-12-30 18:37:56
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過(guò)去用的ICP，還沒(méi)有用過(guò)AOE刻蝕硅，請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
EMC檢測(cè)技術(shù)研究（連載）射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)
2015-08-05 14:52:54
`GPS抗干擾接收技術(shù)研究_狄旻國(guó)防科技大學(xué)研究生論文`
2015-08-26 12:54:59
根據(jù)移動(dòng)通信技術(shù)和市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì),為提升公司在LTE 技術(shù)、產(chǎn)品、人才等方面的積累,保持公司在技術(shù)、產(chǎn)品和市場(chǎng)方面的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步夯實(shí)公司未來(lái)發(fā)展的基礎(chǔ),公司擬使用超募資金1043.1萬(wàn)元投資實(shí)施《LTE 網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)技術(shù)研究》項(xiàng)目。那LTE網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)技術(shù)研究究竟有哪些可行性呢？
2019-08-07 08:09:38
速率）。MIMO技術(shù)對(duì)于傳統(tǒng)的單天線系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，能夠大大提高頻譜利用率，使得系統(tǒng)能在有限的無(wú)線頻帶下傳輸更高速率的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。目前，各國(guó)已開(kāi)始或者計(jì)劃進(jìn)行新一代移動(dòng)通信技術(shù)（后3G或者4G）的研究，爭(zhēng)取在
2019-07-11 07:39:51
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
我正在研究使用高速收發(fā)器接收部分的定制電路板。所有四個(gè)接收器的參考時(shí)鐘相同，為125 MHz。我從焦平面陣列（FPA）接收數(shù)據(jù)并使用8 / 10b編碼。我可以讓FPA重復(fù)顯示空白行（字符1FFD
2020-05-05 11:39:41
Xilinx SRAM型FPGA抗輻射設(shè)計(jì)技術(shù)研究 (1)
2012-08-17 08:57:49
求各位大神給一些有關(guān)隱寫(xiě)盲檢測(cè)技術(shù)研究的語(yǔ)言相關(guān)性的指導(dǎo)和matlab的程序跪求感激不盡
2012-11-24 13:24:37
1、引言微帶反射陣天線是拋物面天線和微帶陣列天線相結(jié)合的產(chǎn)物。它用刻蝕有微帶貼片的平面陣代替?zhèn)鹘y(tǒng)的拋物面，通過(guò)平面陣上的每個(gè)微帶陣元的相位延遲線來(lái)調(diào)節(jié)相位，使反射陣和拋物面一樣有等相位面。反射陣天線
2019-07-17 08:27:38
光伏核心技術(shù)：太陽(yáng)能LED照明之高效驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究 [/hide]
2009-10-19 15:21:41
關(guān)于虛擬現(xiàn)實(shí)中立體顯示技術(shù)研究知識(shí)點(diǎn)看完你就懂了
2021-06-03 06:00:25
利用原子力顯微鏡中的快速掃描技術(shù)研究材料的熱轉(zhuǎn)變
2018-10-11 11:31:31
單片機(jī)串行接口技術(shù)研究
2012-08-17 23:03:31
單片機(jī)系統(tǒng)多串行口設(shè)計(jì)技術(shù)研究
2012-08-07 00:10:30
噪聲環(huán)境下的語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)研究
2012-08-20 12:57:55
圖像中的文本定位技術(shù)研究綜述_晉瑾
2016-06-29 12:24:32
近年來(lái)，在軍用天線等應(yīng)用領(lǐng)域，國(guó)外超材料技術(shù)取得了突破性進(jìn)展。例如，英國(guó)BAE系統(tǒng)公司和倫敦瑪麗女王學(xué)院研制出一種新型超材料平面天線，利用超材料平面匯聚電磁波的特性，替代了傳統(tǒng)天線的拋物面反射器或
2019-07-29 06:21:04
基于CAN總線的網(wǎng)絡(luò)化PLC技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)-南京航空航天大學(xué) 可編程控制器是高可靠性，使用靈活，功能豐富的工業(yè)自動(dòng)化控制裝置，在工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用和發(fā)展前景，頁(yè)網(wǎng)絡(luò)化的可編程
2009-10-31 10:02:11
基于FPGA和AD9240的非制冷焦平面陣列數(shù)據(jù)采集電路實(shí)現(xiàn)
2015-03-16 15:43:23
基于FPGA的交織編碼技術(shù)研究及實(shí)現(xiàn)中文期刊文章作 者：楊鴻勛 張林作者機(jī)構(gòu)：[1]貴州航天電子科技有限公司,貴州貴陽(yáng)550009出 版 物：《科技資訊》 (科技資訊)年 卷 期：2017年 第
2018-05-11 14:09:54
基于Matlab智能天線仿真技術(shù)研究
2018-05-11 14:55:54
基于ZigBee的短距離通信技術(shù)研究歡迎研究ZigBee的朋友和我交流。。。
2012-08-11 18:55:45
基于單片機(jī)的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)技術(shù)研究
2012-06-20 14:37:19
畢設(shè)題目： 基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的室內(nèi)無(wú)線定位技術(shù)研究 ，可以用無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)定位來(lái)做么？
2016-05-18 22:35:13
曹俊誠(chéng) 封松林中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室太赫茲(THz)[1．3]技術(shù)涉及電磁學(xué)、光電子學(xué)、半導(dǎo)體物理學(xué)、材料科學(xué)以及通信等多個(gè)學(xué)科。它在信息科學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)
2019-05-28 07:12:25
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：陣列渦流檢測(cè)技術(shù)研究
實(shí)驗(yàn)原理：渦流檢測(cè)基于在電磁感應(yīng)原理，僅適合用于導(dǎo)電材料的檢測(cè)。其檢測(cè)原理是:載有交變電流的檢測(cè)線圈靠近工件時(shí)，在工件中會(huì)感生出渦流，此渦流形成的同時(shí)也會(huì)形成
2024-02-28 16:04:24
怎么實(shí)現(xiàn)嵌入式WiFi技術(shù)研究與通信設(shè)計(jì)？
2021-05-28 07:01:59
好失望啊，沒(méi)人回應(yīng)。再放個(gè)崗位吧，要有遙感技術(shù)的博士都可找我崗位：衛(wèi)星數(shù)據(jù)預(yù)處理研究工程師崗位介紹：1、負(fù)責(zé)衛(wèi)星地面預(yù)處理關(guān)鍵技術(shù)研究；2、負(fù)責(zé)衛(wèi)星地面預(yù)處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)；3、負(fù)責(zé)預(yù)處理系統(tǒng)的持續(xù)優(yōu)化
2014-03-18 16:03:22
共形陣天線是和載體外形保持一致的天線陣，即將天線陣面與載體外形“共形”，增強(qiáng)了適應(yīng)性，相對(duì)于平面陣天線有很大的優(yōu)勢(shì)。其中，柔性共形陣天線是更先進(jìn)的一種共形陣天線技術(shù)，不僅可以和任意曲面共形，能夠隨著外形變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整適應(yīng)而且對(duì)于飛行器因氣動(dòng)、冷熱等引起的振動(dòng)和外形變化具有更好的適應(yīng)性。
2019-07-15 07:59:42
求一個(gè)基于labview的高精度DAC測(cè)試技術(shù)研究的研究，及如何在labview中模擬DAC8580，謝謝
2013-05-11 09:17:59
激光偏角測(cè)量技術(shù)研究.pdf
2012-07-20 23:14:23
物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境下的云存儲(chǔ)安全技術(shù)研究，不看肯定后悔
2021-05-19 06:15:56
電壓型逆變器高壓串聯(lián)諧振技術(shù)研究
2012-08-20 16:18:34
距離的遠(yuǎn)近，可將陣列分為近場(chǎng)模型和遠(yuǎn)場(chǎng)模型。根據(jù)麥克風(fēng)陣列的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，則可分為線性陣列、平面陣列、體陣列等。(1) 近場(chǎng)模型和遠(yuǎn)場(chǎng)模型聲波是縱波，即媒質(zhì)中質(zhì)點(diǎn)沿傳播方向運(yùn)動(dòng)的波。聲波是一種振動(dòng)波，聲源發(fā)聲
2018-07-28 14:28:03
計(jì)算機(jī)USB 接口技術(shù)研究
2012-08-16 19:50:23
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
錳鋅鐵氧體損耗、磁導(dǎo)率和阻抗特性及制備技術(shù)研究
2018-07-10 09:54:26
此資料是：面向新興三維視頻應(yīng)用的技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)，希望對(duì)大家有所幫助
2012-07-31 21:19:38
高速公路GPS車(chē)輛動(dòng)態(tài)監(jiān)控技術(shù)研究本文結(jié)合吉林省科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目“吉林省高速公路路網(wǎng)指揮調(diào)度系統(tǒng)數(shù)字平臺(tái)開(kāi)發(fā)”，針對(duì)吉林省高速公路運(yùn)營(yíng)過(guò)程中存在的問(wèn)題，通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外車(chē)輛監(jiān)控系統(tǒng)發(fā)展的研究，提出
2009-04-16 13:47:49
距離的遠(yuǎn)近，可將陣列分為近場(chǎng)模型和遠(yuǎn)場(chǎng)模型。根據(jù)麥克風(fēng)陣列的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，則可分為線性陣列、平面陣列、體陣列等。(1) 近場(chǎng)模型和遠(yuǎn)場(chǎng)模型聲波是縱波，即媒質(zhì)中質(zhì)點(diǎn)沿傳播方向運(yùn)動(dòng)的波。聲波是一種振動(dòng)波，聲源發(fā)聲
2018-08-08 18:43:08
介紹了紅外焦平面陣列信號(hào)處理電路的發(fā)展概況.重點(diǎn)描述了CCD多路傳輸器、時(shí)間延遲積分CCD、MOSFET、CMOS多路傳輸器的基本結(jié)構(gòu)、工作方式及應(yīng)用領(lǐng)域.最后給出了多路傳輸器件的兩
2009-04-27 17:18:27
23 引人注目的紅外焦平面陣列技術(shù)正在取得飛速進(jìn)展，日益拓展其新的應(yīng)用領(lǐng)域。本文著重于從未來(lái)應(yīng)用和市場(chǎng)的角度，結(jié)合器件技術(shù)討論二十一世紀(jì)頭10～20 年間的紅外焦平面陣列技
2009-07-13 09:05:3126 摘要：讀出電路是紅外焦平面器件研究的關(guān)鍵技術(shù)之一，本文研制出一種用于CMOS讀出電路參數(shù)測(cè)試的計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)可靠、精度高，有完整的軟硬件環(huán)境，以適應(yīng)各種
2010-05-05 09:23:4810 摘要：紅外焦平面陣列是獲取景物紅外光輻射信息的重要光電器件。讀出電路是其關(guān)鍵部件，良好的讀出電路性能在紅外焦平面陣列中發(fā)揮著重要的作用。列舉了一些最新的CMOS讀出
2010-05-17 08:52:4033 介電體超晶格是一種新型的有序微結(jié)構(gòu)材料。它具有通常均質(zhì)材料所不具有的獨(dú)特的優(yōu)異性能，展現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。本文介紹南京大學(xué)研究組關(guān)于介電體超晶格研究所取得的進(jìn)
2010-09-14 22:00:0537 矩形平面陣列天線旁瓣電平優(yōu)化的遺傳算法
本文運(yùn)用遺傳算法對(duì)不等幅不等距矩型平面陣列的最大相對(duì)旁瓣電平
2009-10-20 18:40:29
1508 基于DSP+FPGA+ASIC的實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)
1.引言
隨著紅外焦平面陣列技術(shù)的快速發(fā)展，紅外成像系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了高幀頻、高分辨率、高可靠性及微型化，在目標(biāo)跟蹤
2010-01-13 10:39:491115 
非制冷紅外探測(cè)器以及由多個(gè)敏感單元構(gòu)成的紅外焦平面陣列在軍事及民用領(lǐng)域受到越來(lái)越廣泛的關(guān)注。非制冷紅外探測(cè)器工作于室溫下，所以又稱(chēng)之為室溫紅外探測(cè)器。
UF
2010-07-01 10:05:472278 
近來(lái)的革新出現(xiàn)了多層平面陣列的濾波式電容器，現(xiàn)在可實(shí)現(xiàn)如瞬態(tài)保護(hù)的功能。采用多層壓敏電阻平面陣列起瞬態(tài)保護(hù)的濾波連接器為產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了一個(gè)可選方案。
2011-06-28 09:31:541285 
陣列信號(hào)處理中的DOA估計(jì)技術(shù)研究,穩(wěn)健的參數(shù)估計(jì)技術(shù)是現(xiàn)代信號(hào)處理的重要研究領(lǐng)域。采用陣列信號(hào)處高分辨新體制電子衛(wèi)星的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2012-01-18 15:30:0846 高速成像技術(shù)是太赫茲（THz）技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的重要研究方向之一，它在材料分析、高能物理過(guò)程分析、生物醫(yī)學(xué)成像、人體安檢等方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值。然而低溫匹配讀出電路的缺乏，使得快速響應(yīng)光子型焦平面陣列探測(cè)器的設(shè)計(jì)十分困難，進(jìn)而造成THz高速與實(shí)時(shí)成像技術(shù)的研究進(jìn)展緩慢。
2016-12-28 09:29:07956 
用于非制冷紅外焦平面陣列的高速緩沖器_楊亞楠
2017-01-08 10:18:572 基于ANSYS的平面電容傳感器陣列三維仿真研究_劉澤良
2017-03-19 19:07:042 為了實(shí)現(xiàn)一維頻率掃描，設(shè)計(jì)了一個(gè)X波段的串饋頻掃平面陣列天線。單個(gè)功分器采用四分支定向耦合器，并且引入低通濾波結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)大功分比設(shè)計(jì)的同時(shí)還解決了兩輸出口間的相位偏移問(wèn)題。采用低損耗空氣帶狀線作為
2017-11-13 17:31:3223 時(shí)域高通濾波非均勻性校正是一種典型的基于場(chǎng)景的紅外焦平面陣列非均勻性校正算法，但其易產(chǎn)生“鬼影”現(xiàn)象，影響校正效果 實(shí)現(xiàn)紅外焦平面陣列非均勻性自適應(yīng)校正是紅外探測(cè)系統(tǒng)研究中追求的重要目標(biāo)，對(duì)提高紅外探測(cè)系統(tǒng)的空間分辨率、溫度分辨率、探測(cè)距離以及輻射量的正確度量具有重要意義。
2017-11-23 13:36:154671 
針對(duì)傳統(tǒng)金屬缺陷檢測(cè)方法中存在的缺陷位置、形狀和尺寸測(cè)量失真問(wèn)題，設(shè)計(jì)了新型平面陣列電磁傳感器，該傳感器能有效克服中心區(qū)域檢測(cè)不敏感問(wèn)題，提高檢測(cè)精度，通用性更強(qiáng)。分別采用傳統(tǒng)掃描式檢測(cè)方法
2018-02-09 13:56:230 紅外焦平面探測(cè)是一種兼具輻射敏感和信號(hào)處理功能的新一代紅外探測(cè)技術(shù)，但是由于制造過(guò)程和工作環(huán)境的影響， 使得焦平面陣列（FPA ） 各個(gè)陣列元即使在相同的輻射通量照射下，也會(huì)輸出不相同的響應(yīng)電壓。
2018-10-31 08:30:001962 本文結(jié)合無(wú)掃描激光雷達(dá)領(lǐng)域發(fā)展情況，闡述需要提高國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平，積極開(kāi)展APD焦平面陣列等先進(jìn)3D傳感器的研制工作，縮小與國(guó)外的差距。
2019-02-15 16:48:4016307 
SCD的優(yōu)勢(shì)及主流產(chǎn)品主要是III-V族紅外探測(cè)器。20世紀(jì)90年代開(kāi)始，SCD的研發(fā)重心就放在InSb上，早期主要研究離子注入型平面結(jié)工藝，工藝成熟后開(kāi)始發(fā)展大面陣、小像元焦平面，目的在于減小整機(jī)的尺寸，功耗，重量與成本。
2019-02-25 16:12:4813003 
磷化銦襯底上的InAs和InAsSb納米線可形成適用于焦平面陣列的室溫SWIR或MWIR光電二極管。
2019-08-05 16:23:203396 武漢高芯科技有限公司從2014年開(kāi)始制備基于InAs/GaSbII 類(lèi)超晶格的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器。在本文中，報(bào)道了像元規(guī)模為640 × 512，像元間距為15 μm的長(zhǎng)波紅外焦平面探測(cè)器。在77
2020-09-15 10:04:513926 北方華創(chuàng)（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見(jiàn)證了這一歷史性時(shí)刻。
2020-12-11 15:30:092176 國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)在歷經(jīng)了20年自主創(chuàng)新后得到客戶(hù)廣泛認(rèn)可的重要標(biāo)志，未來(lái)會(huì)持續(xù)在等離子刻蝕ICP技術(shù)領(lǐng)域?qū)で蟾嗤黄啤?北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司成立于2001年，由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司、北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司戰(zhàn)略重
2020-12-11 15:37:382657 兼容性好．采用電感耦合等離子體源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技術(shù)對(duì)金屬鈦進(jìn)行三雛深刻蝕，采用不同刻蝕掩模、氯基刻蝕氣體，研究了線圈功率、平板功率和娼流量對(duì)刻蝕速率和選擇比等工藝參數(shù)的影響，并對(duì)砸深刻蝕參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，得到0．
2020-12-29 14:47:002366 InAs/GaSb超晶格中存在著嚴(yán)重的SRH復(fù)合，研究發(fā)現(xiàn)，與Ga有關(guān)的本征缺陷在禁帶中心附近引入了缺陷能級(jí)形成的復(fù)合中心是導(dǎo)致SRH機(jī)制主要原因，因此，無(wú)Ga型的InAs/InAsSb超晶格結(jié)構(gòu)被提出。
2022-04-19 14:35:471483 在半導(dǎo)體超晶格材料體系中，基于Ⅲ-V族半導(dǎo)體的超晶格材料是人們的研究熱點(diǎn)，其帶隙在0.1~1.7eV之間，可作為紅外波段光電子器件的材料，也可應(yīng)用在工業(yè)檢測(cè)、監(jiān)控、測(cè)溫、醫(yī)學(xué)以及光電搜索、偵探、氣象衛(wèi)星和氣候監(jiān)測(cè)等方面。
2022-08-13 10:21:201881 二類(lèi)超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科學(xué)家于1977年提出隨后他們對(duì)InAs/GaSb二類(lèi)超晶格的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論計(jì)算，根據(jù)計(jì)算結(jié)果：InAs/GaSb 超晶格根據(jù)其周期結(jié)構(gòu)厚度的不同，表現(xiàn)出半導(dǎo)體特性或半金屬特性。
2022-11-24 09:57:133432 針對(duì)p-on-n長(zhǎng)波碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器展開(kāi)研究，器件采用原位摻In的LPE 技術(shù)在CdZnTe襯底上生長(zhǎng)N型碲鎘汞薄膜，通過(guò)As離子注入及退火激活實(shí)現(xiàn)P摻雜，進(jìn)而制備得到像元間距25μm，640×512陣列的p-on-n長(zhǎng)波焦平面探測(cè)器
2022-12-05 15:00:11947 二類(lèi)超晶格材料主要通過(guò)調(diào)節(jié)InAs、GaSb、AlSb、InSb等層厚來(lái)實(shí)現(xiàn)能帶結(jié)構(gòu)裁剪，實(shí)現(xiàn)響應(yīng)波段、暗電流等其他光電性能調(diào)控，通過(guò)經(jīng)驗(yàn)緊束縛理論和8帶k.p微擾能帶理論等超晶格能帶計(jì)算模型進(jìn)行理論計(jì)算，得到相應(yīng)的材料參數(shù)。
2023-01-13 11:02:551161 InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格近年來(lái)得到迅速的發(fā)展，是最有前景的紅外光電探測(cè)材料之一。隨著探測(cè)器像元中心距不斷減小，對(duì)于臺(tái)面結(jié)器件，其側(cè)壁漏電將占據(jù)主導(dǎo)地位，這對(duì)超晶格探測(cè)器的臺(tái)面制備和鈍化工藝都提出了很高的要求。
2023-01-31 09:30:22907 氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的
不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強(qiáng)可控性而備受關(guān)注
2023-02-22 15:45:410 通過(guò)利用單個(gè)焦平面陣列（FPA）結(jié)合濾光輪來(lái)選擇合適的光譜窗口，使用兩個(gè)FPA及其電子器件分別在兩個(gè)光譜窗口工作，研究人員已實(shí)現(xiàn)了探測(cè)器的光譜選擇性。
2023-03-08 09:54:26662 本文通過(guò)FDTD Solutions建立Ⅱ類(lèi)超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型，通過(guò)改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜，經(jīng)由仿真結(jié)果選擇合適的膜系及厚度，最終實(shí)現(xiàn)探測(cè)器的性能提升與響應(yīng)波長(zhǎng)的調(diào)控。
2023-04-06 10:26:57658 ?二類(lèi)超晶格制冷紅外探測(cè)器簡(jiǎn)介二類(lèi)超晶格制冷紅外焦平面探測(cè)器的材料名稱(chēng)是基于Ⅲ-Ⅴ族生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料，英文名稱(chēng)T2SL，是紅外熱成像行業(yè)當(dāng)下最前沿的制冷紅外探測(cè)器技術(shù)之一，在制備長(zhǎng)波制冷紅外焦平面
2022-10-31 14:18:321144 
由于集成電路技術(shù)和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的迅猛進(jìn)步，非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器技術(shù)已經(jīng)日臻成熟，并且相關(guān)產(chǎn)品也開(kāi)始逐漸實(shí)現(xiàn)系列化。在學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的共同推動(dòng)下，非制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)
2023-08-02 15:09:25704 
雙色紅外探測(cè)器可以同時(shí)獲取目標(biāo)和環(huán)境在兩個(gè)波段的輻射特征，從而有效抑制復(fù)雜的背景噪聲，實(shí)現(xiàn)不受環(huán)境制約的紅外探測(cè)，提升目標(biāo)的探測(cè)效果，在預(yù)警、搜索和跟蹤系統(tǒng)中能明顯地降低虛警率，顯著地提高系統(tǒng)性能。
2023-08-11 09:25:06875 
隨著大規(guī)模紅外焦平面陣列探測(cè)器應(yīng)用的日益廣泛，用戶(hù)對(duì)其有效像元率指標(biāo)提出了越來(lái)越高的要求。
2023-08-14 09:52:52433 
識(shí)別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類(lèi)超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測(cè)器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點(diǎn)以及成本優(yōu)勢(shì)，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
紅外焦平面陣列是紅外系統(tǒng)及熱成像器件的關(guān)鍵部件，是置于紅外光學(xué)系統(tǒng)焦平面上，可使整個(gè)視場(chǎng)內(nèi)景物的每一個(gè)像元與一個(gè)敏感元相對(duì)應(yīng)的多元平面陣列紅外探測(cè)器件，在軍事領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，擁有巨大的市場(chǎng)潛力和應(yīng)用前景。
2023-08-28 10:26:361201 
隨著材料技術(shù)的發(fā)展，InAs/GaSbⅡ類(lèi)超晶格（T2SLs）的優(yōu)越性日益凸顯，特別適用于中長(zhǎng)波紅外（MLWIR）和甚長(zhǎng)波紅外（VLWIR）探測(cè)。基于InAs/GaSb T2SLs的光電探測(cè)器因具有
2023-09-09 11:34:36602 
基于InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格（T2SL），科研人員成功實(shí)現(xiàn)了短波、中波、長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波的紅外探測(cè)。
2023-10-10 09:09:02424 
InAs/GaSb超晶格光敏芯片與讀出電路采用倒裝互連的形式構(gòu)成紅外探測(cè)器芯片。
2023-11-09 11:38:27424 
在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
系統(tǒng)使用的輻射探測(cè)器。 由加州大學(xué)洛杉磯分校Samueli工程學(xué)院電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Mona Jarrahi和Aydogan Ozcan領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)明了一種新的太赫茲焦平面陣列來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。 帶PSR的等離子體光電導(dǎo)THz-FPA 通過(guò)消除逐點(diǎn)捕獲和顯示圖像
2024-01-19 10:05:21277 
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