晶片

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晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí)，晶片來(lái)料呈整齊排列在晶片膜上。

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晶片技術(shù)

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 晶片 2422 0

光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式

本Inseto知識(shí)庫(kù)文檔介紹了光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式。

2022-07-21 標(biāo)簽：曝光模式光刻晶片 2319 0

半導(dǎo)體鍺光電探測(cè)器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成

引言我們展示了一個(gè)利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過(guò)晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺(tái)的概念驗(yàn)證演示。通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積形...

2021-12-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體非晶硅 2303 0

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因?yàn)槠骷目煽啃院?..

2022-07-07 標(biāo)簽：制造工藝晶片清洗技術(shù) 2285 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...

2022-07-12 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶片 2237 0

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過(guò)堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依...

2022-03-08 標(biāo)簽：測(cè)試蝕刻晶片 2196 0

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為...

2021-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片硅片 2135 0

半導(dǎo)體工藝臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

摘要本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過(guò)200...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 2117 0

簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...

2023-05-09 標(biāo)簽：等離子體晶圓蝕刻 1970 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1969 0

基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron（愛(ài)思強(qiáng)）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...

2012-07-31 標(biāo)簽：LED 氮化鎵晶片 1943 0

Al2O3鈍化PERC太陽(yáng)能電池的工業(yè)清洗序列

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關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說(shuō)明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1800 0

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關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

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Cu CMP后清洗中添加劑對(duì)顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...

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聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過(guò)使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕，并用D2400剪切測(cè)試儀測(cè)量界面...

2021-12-27 標(biāo)簽：聚合物晶片光子器件 1751 0

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

摘要化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1749 0

高頻聲能清洗半導(dǎo)體晶片的方法

我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過(guò) SEM 和 XPS 分析對(duì)加工樣品的離子注入表面進(jìn)行表征表...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造晶片 1553 0

6個(gè)晶振停振原因及解決方案，你確定不來(lái)看看嗎~

??晶振停振是電子設(shè)備中常見的問(wèn)題，它會(huì)影響到整個(gè)電路的正常工作。晶振停振的原因主要有以下幾種以及對(duì)應(yīng)的解決方案：??1.晶片損壞或破裂??晶片的破裂是...

2024-06-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備電極晶振 1551 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標(biāo)簽：SiC 晶片光刻機(jī) 1542 0

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深圳市兆馳股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“兆馳股份”）于2005年4月成立，注冊(cè)資本452，694.06萬(wàn)元。2010年6月在深圳證券交易所中小企業(yè)板上市，證券代碼：002429。兆馳股份總部位于深圳市龍崗區(qū)，旗下?lián)碛卸嗉覙I(yè)務(wù)子公司并分布全國(guó)各地。

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