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標(biāo)簽 > 晶硅
晶硅就是單質(zhì)硅,目前廣泛用于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能光伏發(fā)電電池等方面。硅以大量的硅酸鹽礦和石英礦存在于自然界中。是構(gòu)成地球上礦物界的主要元素,在地殼中的豐度為27.7%,在所有的元素中居第二位,地殼中含量最多的元素氧和硅結(jié)合形成的二氧化硅SiO2,占地殼總質(zhì)量的87%。
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Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用
Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon...
2025-02-06 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅晶片 599 0
N型和P型TOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們?cè)诓牧稀⒔Y(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對(duì)這兩種技術(shù)的介紹。 材料差...
2024-08-08 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅半導(dǎo)體材料 3197 0
雙面絨面結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池效率研究
鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池具有豐富的材料堆疊,每一種材料都有著獨(dú)特的功能性,了解其中的光電性質(zhì),對(duì)于提升串聯(lián)能量轉(zhuǎn)換效率具有重大意義,也是高效的光收集和...
2024-07-31 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅鈣鈦礦 1484 0
LPCVD和PECVD制備摻雜多晶硅層中的問(wèn)題及解決方案
高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽(yáng)能電池效率的可行技術(shù)方案。化學(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層,成為...
2024-01-18 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅PECVD 3269 0
鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)電池,以其具有超過(guò)單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢(shì),近年來(lái)成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。通過(guò)近10年...
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用,新的氧化物選擇性模式,概述了通過(guò)將無(wú)水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法,描述了一...
本文首先介紹了什么是硅晶棒,其次介紹了硅晶棒的生產(chǎn)步驟,最后詳細(xì)的闡述了硅晶棒的切斷、滾磨、腐蝕、切片、倒角、研磨和化學(xué)腐蝕工藝。
薄膜太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)
目前,人們根據(jù)半導(dǎo)體材料將太陽(yáng)能電池分為晶硅與薄膜兩大類。晶硅由于成本較高,限制其發(fā)展。薄膜電池具有生成成本低、原材料消耗少、弱光性等優(yōu)勢(shì),還能實(shí)現(xiàn)光伏...
2013-07-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池薄膜電池晶硅 7817 0
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