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標(biāo)簽 > 柵極電荷
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CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)...
CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)
這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18...
CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、...
CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 4...
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 450 0
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2875 0
MOSFET的動(dòng)態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表...
共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管AO8810/L數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:電源技術(shù) 2024-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電荷 269 0
WSP8814英文數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:產(chǎn)品手冊(cè) 2017-07-28 標(biāo)簽:mosfet柵極電荷 693 0
MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET柵極電荷匹配設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極電荷 1535 0
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET高速開關(guān)Rohm 1245 0
LE9879QTW40為輔助泵和風(fēng)扇應(yīng)用提供高質(zhì)量的解決方案
TLE9879QTW40 為輔助泵和風(fēng)扇應(yīng)用提供高質(zhì)量的解決方案 英飛凌的TLE987x系列可實(shí)現(xiàn)高級(jí)電機(jī)控制算法 TLE987x系列解決了廣泛的智能三...
MOSFET產(chǎn)品采用低熱阻的POWERDI 5060-8封裝,實(shí)現(xiàn)175°C最高工作結(jié)溫
DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求,完全通過電子雪崩測(cè)試,實(shí)現(xiàn)可承受高脈沖反向雪崩能量的穩(wěn)定設(shè)計(jì)...
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