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標(biāo)簽 > 柵極電阻

柵極電阻簡(jiǎn)介

  由于柵級(jí)電阻上的大負(fù)載,建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余,如果一個(gè)柵極電阻損壞,系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行,但開(kāi)關(guān)損耗較大。每個(gè)并聯(lián)電阻有關(guān)功耗和峰值功率能力的性能,必須設(shè)計(jì)為滿足應(yīng)用中的最大柵級(jí)電流。采用柵級(jí)電阻并聯(lián)的方式,也有利于增強(qiáng)熱擴(kuò)散。柵級(jí)電阻并聯(lián)的布局必須保證柵極電阻所產(chǎn)生的過(guò)大熱量不會(huì)使安裝在附近的元件過(guò)熱。在考慮布局時(shí),必須為柵極電阻留出足夠大的冷卻區(qū)域。印刷電路板上合適的散熱器可用來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的散熱。

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柵極電阻知識(shí)

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柵極電阻技術(shù)

淺析柵極電阻的作用及選取方法

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。

2018-11-01 標(biāo)簽:IGBT柵極電阻 2.7萬(wàn) 0

深入淺出帶你搞懂-MOSFET柵極電阻

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2024-05-09 標(biāo)簽:電阻MOSFET半導(dǎo)體 2.5萬(wàn) 0

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RC吸收回路的參數(shù)取值,我們常見(jiàn)的馬達(dá)控制場(chǎng)合,常用的選取電阻為100歐。電容為0.01uF. 而起到噪聲保護(hù)的作用的,接在控制柵極和T1之間的電阻和電...

2023-08-05 標(biāo)簽:可控硅柵極電阻觸發(fā)電路 1.9萬(wàn) 0

HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析

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MOS管導(dǎo)通的實(shí)質(zhì)是對(duì)GS結(jié)電容充電,在上圖所示的原理圖我在G級(jí)串聯(lián)一個(gè)電阻是為了限制充電速度,防止充電過(guò)快產(chǎn)生震蕩。

2020-09-09 標(biāo)簽:二極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬(wàn) 1

淺談MOSFET中柵極電阻的作用意義

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MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用?

2019-05-11 標(biāo)簽:MOSFET柵極電阻 1.4萬(wàn) 0

深入解析可控硅:工作原理、電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用

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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱T...

2024-01-06 標(biāo)簽:繼電器單片機(jī)可控硅 1.3萬(wàn) 0

高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介,試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題

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在研究頻率響應(yīng)時(shí),Neubean意識(shí)到,需要明確什么是開(kāi)環(huán)響應(yīng)。如果與單位負(fù)反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會(huì)從差值開(kāi)始,結(jié)束于結(jié)果負(fù)輸入端。Neubean...

2018-05-02 標(biāo)簽:放大器電流柵極電阻 1.1萬(wàn) 0

MOS管柵極電阻的作用詳解

在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏...

2022-09-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管柵極電阻 9787 0

常用的ESD保護(hù)器件及原理

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Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...

2023-12-07 標(biāo)簽:電阻ESDNMOS 9615 0

MOS管柵極電阻阻值作用

1、如果沒(méi)有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快,高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí),Rds...

2022-11-04 標(biāo)簽:MOS管電壓柵極電阻 7490 0

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柵極電阻資訊

柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析

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2010-10-09 標(biāo)簽:IGBT柵極電阻 7135 0

柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的影響

  1 前言   用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常

2011-08-10 標(biāo)簽:IG柵極電阻RG 6699 0

如何簡(jiǎn)單的dv/dt控制技術(shù)降低IGBT開(kāi)通損耗

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功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型,一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度更快。這將降低開(kāi)關(guān)損耗,從而降低總體損耗

2023-02-07 標(biāo)簽:柵極電阻功率半導(dǎo)體電阻值 3147 0

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。

2020-07-14 標(biāo)簽:英飛凌柵極電阻碳化硅 1791 0

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柵極電阻數(shù)據(jù)手冊(cè)

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