完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 柵極電阻
柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì),采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。
由于柵級(jí)電阻上的大負(fù)載,建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余,如果一個(gè)柵極電阻損壞,系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行,但開(kāi)關(guān)損耗較大。每個(gè)并聯(lián)電阻有關(guān)功耗和峰值功率能力的性能,必須設(shè)計(jì)為滿足應(yīng)用中的最大柵級(jí)電流。采用柵級(jí)電阻并聯(lián)的方式,也有利于增強(qiáng)熱擴(kuò)散。柵級(jí)電阻并聯(lián)的布局必須保證柵極電阻所產(chǎn)生的過(guò)大熱量不會(huì)使安裝在附近的元件過(guò)熱。在考慮布局時(shí),必須為柵極電阻留出足夠大的冷卻區(qū)域。印刷電路板上合適的散熱器可用來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的散熱。
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。
一、MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于電壓控制電流型元件,是...
5款雙向可控硅的電路應(yīng)用場(chǎng)景 雙向可控硅工作原理
RC吸收回路的參數(shù)取值,我們常見(jiàn)的馬達(dá)控制場(chǎng)合,常用的選取電阻為100歐。電容為0.01uF. 而起到噪聲保護(hù)的作用的,接在控制柵極和T1之間的電阻和電...
HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析
MOS管導(dǎo)通的實(shí)質(zhì)是對(duì)GS結(jié)電容充電,在上圖所示的原理圖我在G級(jí)串聯(lián)一個(gè)電阻是為了限制充電速度,防止充電過(guò)快產(chǎn)生震蕩。
2020-09-09 標(biāo)簽:二極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬(wàn) 1
深入解析可控硅:工作原理、電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱T...
高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介,試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問(wèn)題
在研究頻率響應(yīng)時(shí),Neubean意識(shí)到,需要明確什么是開(kāi)環(huán)響應(yīng)。如果與單位負(fù)反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會(huì)從差值開(kāi)始,結(jié)束于結(jié)果負(fù)輸入端。Neubean...
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏...
2022-09-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管柵極電阻 9787 0
Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...
1、如果沒(méi)有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快,高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí),Rds...
AN7003_IGBT驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電阻選擇原則及應(yīng)用立即下載
類(lèi)別:電源技術(shù) 2012-10-18 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)柵極電阻AN7003
類(lèi)別:電子元器件應(yīng)用 2021-06-21 標(biāo)簽:柵極柵極電阻
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的影響
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
如何簡(jiǎn)單的dv/dt控制技術(shù)降低IGBT開(kāi)通損耗
功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型,一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度更快。這將降低開(kāi)關(guān)損耗,從而降低總體損耗
2023-02-07 標(biāo)簽:柵極電阻功率半導(dǎo)體電阻值 3147 0
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |