柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極資訊

柵極源級(jí)漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級(jí)漏極的工作原理是什么

源極簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的...

2017-11-23 標(biāo)簽：柵極漏極源級(jí) 29.8萬(wàn) 0

用萬(wàn)用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法

選用管子型號(hào)為IRF640，如上圖所示，一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電（三極管就不需要，之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān)，這里就不多說(shuō)了），放電...

2020-04-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管柵極 2.5萬(wàn) 0

深入剖析MOS管雪崩、SOA失效及發(fā)熱

本文對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)...

2021-06-22 標(biāo)簽：MOSFET MOS 柵極 1.0萬(wàn) 0

MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）

當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流

2022-11-14 標(biāo)簽：電流柵極源極 9328 0

增強(qiáng)型NMOS管的特性及應(yīng)用電路

此文說(shuō)明：主要以增強(qiáng)型NMOS管的特性來(lái)說(shuō)明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。

2023-03-10 標(biāo)簽：應(yīng)用電路柵極穩(wěn)壓管 7997 0

氫閘流管的工作原理_氫閘流管的應(yīng)用電路

氫閘流管的工作過(guò)程是氣體由放電前的隔離高電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉烹姾蟮母邔?dǎo)電狀態(tài)過(guò)程，把脈沖時(shí)間間隔內(nèi)儲(chǔ)存的能量在脈沖瞬間轉(zhuǎn)換成強(qiáng)功率脈沖輸出。

2020-01-16 標(biāo)簽：加速器柵極 7591 0

19個(gè)小技巧教你單片機(jī)5V如何轉(zhuǎn)3.3V電平！

方法一：使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使...

2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 電壓柵極 4561 0

芯片制造即將進(jìn)入原子時(shí)代！

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor）是當(dāng)代計(jì)算機(jī)處理器的核心。自從上世紀(jì)60年代以來(lái)，一塊典型處理器中的晶體管的數(shù)量便以摩爾定...

2021-06-26 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 3200 0

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來(lái)說(shuō)，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型（Gate-all-arou...

2021-07-02 標(biāo)簽：IC 三星電子臺(tái)積電 3022 0

SOP8貼片SA2601矽塔單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片

SA2601是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)，可在高達(dá)600V電壓下工作。內(nèi)置VCC和VB...

2024-04-01 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)芯片 2984 0

柵極過(guò)壓保護(hù)電路

IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓.

2011-01-29 標(biāo)簽：過(guò)壓保護(hù)柵極 2868 0

Hexfets如何為開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)

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2020-11-11 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 柵極 2838 0

3D晶體管的優(yōu)點(diǎn)

Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個(gè)3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。

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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展，Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs...

2024-04-07 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 2078 0

MOS晶體管的工作原理

　　MOS管的全稱是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 2025 0

對(duì)稱柵極控制驅(qū)動(dòng)電路

柵極驅(qū)動(dòng)電壓由觸發(fā)脈沖通過(guò)推挽輸出電路提供。當(dāng)觸發(fā)脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導(dǎo)通，從負(fù)載抽取電流，柵極得到負(fù)...

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新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

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柵極驅(qū)動(dòng)器是什么？羅姆有哪些產(chǎn)品

來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)镸OSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，...

2022-11-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器柵極 1689 0

新品 | -1A/2A，160V MOTIX?三相SOI柵極驅(qū)動(dòng)器

新品-1A/2A，160VMOTIX三相SOI柵極驅(qū)動(dòng)器-1A/2A，160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有集成的電源管理單元（PMU）、電流感應(yīng)放大器...

2023-01-31 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器柵極 1662 0

功率MOS管燒毀，我們幫你總結(jié)出了這些原因

今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點(diǎn)，不容易讀，希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過(guò)電壓（半導(dǎo)體...

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