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標(biāo)簽 > 柵極

柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極資訊

全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比,與柵極三面接觸的“鰭”所形成...

2022-08-01 標(biāo)簽:晶體管柵極FinFET 1602 0

AMEYA360:MOS管失效的六大原因

AMEYA360:MOS管失效的六大原因

功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非常火爆,尤其是 MOS 管,他主要應(yīng)用在電源適配器,電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。 而隨著計(jì)算器主板,AI ...

2024-04-23 標(biāo)簽:MOS管柵極失效 1564 0

柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

在現(xiàn)代電氣系統(tǒng)中,通常采用“交流電機(jī)+電動(dòng)機(jī)+變頻器”的控制方式。在電機(jī)系統(tǒng)中,一般會(huì)采用齒輪傳動(dòng)、皮帶傳動(dòng)等傳統(tǒng)方式。由于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方式在機(jī)械傳動(dòng)過程中...

2023-04-21 標(biāo)簽:整流器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)柵極 1500 0

英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯

英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯大MOSFET陣容 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系...

2010-01-29 標(biāo)簽:英飛凌FOM柵極 1420 0

瞻芯電子兩款緊湊封裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

近日,瞻芯電子傳來喜訊,其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2404MP已成功通過可靠性認(rèn)證,并正式投入量產(chǎn)。這兩款高性能產(chǎn)品,標(biāo)志著瞻芯電...

2024-06-22 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)芯片瞻芯電子 1388 0

采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

相比第一代產(chǎn)品,1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%,具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高...

2023-07-06 標(biāo)簽:柵極SiC功率密度 1376 0

為什么要設(shè)置這么一個(gè)工作點(diǎn)呢?

接下來,在柵極加一個(gè)固定的直流電壓,使得輸入到柵極的信號(hào)為小信號(hào)Vin和直流電壓VD的疊加。假設(shè)給這個(gè)直流電壓VD=VTH。而Vin=5sinwt mV。

2022-06-28 標(biāo)簽:放大器柵極 1375 0

飛兆半導(dǎo)體全新高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC提供更佳抗噪能力和性能-FA

FAN73933-飛兆半導(dǎo)體全新高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC提供更佳抗噪能力和性能 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、分布式電

2010-09-17 標(biāo)簽:柵極 1223 0

High-k柵極堆疊技術(shù)的介紹

? High-k柵極堆疊技術(shù),作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項(xiàng)廣泛采納的前沿科技,對(duì)于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 在過去,半導(dǎo)體晶體管普遍采用二氧化硅(...

2024-12-28 標(biāo)簽:晶體管柵極絕緣層 1175 0

典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖

典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖

典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖

2008-11-05 標(biāo)簽:柵極 1107 0

一種名為MARORA的等離子體選擇氧化裝置

一種名為MARORA的等離子體選擇氧化裝置

??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細(xì)化,晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜。蝕刻過程中,蝕刻損傷會(huì)在加工表面產(chǎn)生,因此需要進(jìn)行“損傷修復(fù)”。?? 隨著...

2024-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體柵極 891 0

智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效三相電機(jī)控制

智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效三相電機(jī)控制

電機(jī)在現(xiàn)代生活中應(yīng)用廣泛。無論是吸塵器、空氣風(fēng)扇還是電動(dòng)自行車,這些生活中的常見設(shè)備都需要電機(jī)來驅(qū)動(dòng),而一個(gè)良好的電機(jī)驅(qū)動(dòng)能力是保障設(shè)備高效、穩(wěn)定運(yùn)行的...

2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極 871 0

Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC

傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源,在系統(tǒng)組裝時(shí),驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來不必要的噪聲,并產(chǎn)生電磁干擾(EMI),從...

2023-07-13 標(biāo)簽:電磁干擾柵極柵極驅(qū)動(dòng)器 867 0

英特爾重返半導(dǎo)體王者!

英特爾重返半導(dǎo)體王者!

這兩代工藝不僅會(huì)首次進(jìn)入埃米級(jí)節(jié)點(diǎn),同時(shí)還有兩大黑科技——首發(fā)PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術(shù),其中前者已經(jīng)在Inte...

2023-06-08 標(biāo)簽:英特爾半導(dǎo)體柵極 837 0

MS31703NA:H橋柵極驅(qū)動(dòng)控制器,可替DRV8703

MS31703NA 是一款小型單通道 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器。它使用四個(gè)外部 N 通道 MOSFET,驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向刷式直流電機(jī)。 PH/EN、獨(dú)立半橋或 PW...

2023-07-19 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)控制器 805 0

FinFet Process Flow—啞柵極的形成

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本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片(Fin)的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵組成部分,它...

2025-01-14 標(biāo)簽:柵極FinFET 776 0

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)

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2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開關(guān)器件 745 0

為什么采用多晶硅作為柵極材料

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。...

2025-02-08 標(biāo)簽:多晶硅柵極 625 0

【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要

【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要

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2023-12-13 標(biāo)簽:MOSFET柵極 600 0

新品上市,華普微推出600V半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X

新品上市,華普微推出600V半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X

HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負(fù)向瞬態(tài)電壓,抗dV/dt干擾。HPD2606X支...

2025-03-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器柵極工業(yè)控制 482 0

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