氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案

在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 標(biāo)簽：電源模塊功率器件氧化鎵 1006 0

氧化鎵射頻器件研究進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN射頻器件 732 0

氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 3762 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 1022 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號(hào)處理光譜儀 2118 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1449 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 1550 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET電阻器 1154 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1148 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 1332 0

我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！

2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬...

2025-03-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝氧化鎵 1483 0

氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)時(shí)長(zhǎng)縮短至秒級(jí)！

傳統(tǒng)AFM檢測(cè)氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)方案僅需3秒，百倍提升檢測(cè)效率！

2025-02-08 標(biāo)簽：表面粗糙度氧化鎵白光干涉儀 513 0

鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用...

2025-02-14 標(biāo)簽：導(dǎo)電氧化鎵 477 0

關(guān)于超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)的新研究

? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日， 沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)（KAUS...

2025-01-22 標(biāo)簽：異質(zhì)結(jié)氧化鎵 497 0

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

偏振光探測(cè)與成像技術(shù)在遙感成像、機(jī)器視覺(jué)、復(fù)雜背景目標(biāo)識(shí)別等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，近年來(lái)在天體物理和海底地震波探測(cè)等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體探測(cè)器氧化鎵 768 0

ACS AMI：通過(guò)襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

原創(chuàng)：Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來(lái)源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實(shí)驗(yàn)室，異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡(jiǎn)介 超寬禁帶氧化鎵是實(shí)現(xiàn)超高壓、大功率、...

2024-11-13 標(biāo)簽：MOSFET封裝氧化鎵 1239 0

異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石

來(lái)源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動(dòng)人類社會(huì)...

2024-10-21 標(biāo)簽：氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 821 0