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標簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅(SI3N4)陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優異的機械和電性能。
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銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層(Passivatio...
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性,被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特...
目前使用較多的燒結助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質,因此可以選用非氧化物燒結助劑來替換氧化物燒結助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶...
隨著集成電路工業的發展,電力電子器件技術正朝著高電壓、大電流、大功率密度、小尺寸的方向發展。因此,高效的散熱系統是高集成電路必不可少的一部分。
在選擇陶瓷基板材料時,還需要考慮其對電路設計的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數和介質損耗,這會影響到電路的傳輸特性和性能穩定性。因此,需要根據...
中國第3代半導體半導體理想封裝材料——高導熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題
2022年9月,威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模,高導熱...
近日,瑞士洛桑聯邦理工學院(EPFL)教授Tobias Kippenberg團隊開發出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術,得到了創紀錄的...
綜合上述研究可發現,雖然燒結方式不一樣,但都可以制備出性能優異的氮化硅陶瓷。在實現氮化硅陶瓷大規模生產時,需要考慮成本、操作難易程度和生產周期等因素,因...
羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高,所以新款curamik? 基板能夠幫...
如今高導熱氮化硅陶瓷基板因其優異的機械性能和高導熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件,適用于復雜和極端環境中的應用。在這里,我們概述了制備高導熱...
瑞士洛桑聯邦理工學院(EPFL)基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經開發出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術...
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