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氮化鎵晶體管

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氮化鎵晶體管技術(shù)

氮化鎵晶體管是如何提高開關(guān)效率的？

近幾十年來，電力電子設(shè)備發(fā)展迅速，主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來越快，這使得設(shè)計更小的電力存儲組件（如電容器和電感）成為可能。結(jié)合更高的效率，這可以實現(xiàn)更...

2023-03-08 標簽：氮化鎵 GaN晶體管氮化鎵晶體管 2339 0

氮化鎵晶體管歷史

氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...

2023-02-12 標簽：電源 IGBT器件氮化鎵晶體管 673 0

氮化鎵晶體管應(yīng)用范圍

作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子，氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視，且被更大規(guī)模應(yīng)用

2023-02-07 標簽：氮化鎵晶體管 605 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關(guān)于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標簽：GaN 毫米波 HEMT 2381 0

如何采用氮化鎵或GaN實現(xiàn)車輛電氣化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機（ICE）到全電動未來的巨變。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 標簽：電動汽車逆變器 GaN 5203 0

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因為...

2020-09-07 標簽：MOSFET 碳化硅氮化鎵晶體管 2.0萬 0

如何利用測量設(shè)備來準確地評估高性能的氮化鎵晶體管

氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢，需要使用良好的測量技術(shù)及能夠描述高速波形細節(jié)的良好技巧來進行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量...

2018-06-08 標簽：測量設(shè)備氮化鎵晶體管 3524 0

氮化鎵晶體管帖子

氮化鎵晶體管電路的布局需要考慮哪些因素？

標簽：MOSFET GaN 晶體管電路 12488 0

氮化鎵晶體管資料下載

氮化鎵晶體管資訊

GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在

2023-12-06 標簽：晶體管 GaN 氮化鎵晶體管 684 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2020-12-26 標簽：GaN 氮化鎵晶體管 648 0

如何選擇從直流到18 GHz氮化鎵的產(chǎn)品？

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 ...

2019-03-20 標簽：氮化鎵晶體管 680 0

放大器尺寸再減50%！TriQuint卓越增益新氮化鎵晶體管

TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN） HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。Tr...

2012-12-19 標簽：放大器 TriQuint 模擬芯片 1253 0

TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。

2012-12-18 標簽：晶體管 TriQuint 電源芯片 1366 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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