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標(biāo)簽 > 氮化鎵晶體管
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氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
如何采用氮化鎵或GaN實(shí)現(xiàn)車(chē)輛電氣化
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車(chē)行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...
2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器GaN 5207 0
如何利用測(cè)量設(shè)備來(lái)準(zhǔn)確地評(píng)估高性能的氮化鎵晶體管
氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備高速的開(kāi)關(guān)速度優(yōu)勢(shì),需要使用良好的測(cè)量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來(lái)進(jìn)行評(píng)估。本文專(zhuān)注于如何基于用戶的要求及測(cè)量...
2018-06-08 標(biāo)簽:測(cè)量設(shè)備氮化鎵晶體管 3535 0
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
近幾十年來(lái),電力電子設(shè)備發(fā)展迅速,主要是由于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快,這使得設(shè)計(jì)更小的電力存儲(chǔ)組件(如電容器和電感)成為可能。結(jié)合更高的效率,這可以實(shí)現(xiàn)更...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子,氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視,且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 標(biāo)簽:氮化鎵晶體管 617 0
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