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標(biāo)簽 > 熱性能
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測(cè)量 100A 和 26A 情況下的 LTM4620 的熱性能
于 100A (4 個(gè)并聯(lián) LTM4620) 和 26A (單個(gè) LTM4620) 配置中測(cè)量 LTM4620 在有氣流和無氣流情況下的熱性能。
石墨烯(Graphene)是一種二維碳材料,是單層石墨烯、雙層石墨烯和多層石墨烯的統(tǒng)稱。目前,國(guó)內(nèi)將十層以內(nèi)(包括十層)統(tǒng)稱為石墨烯材料。石墨烯一層層疊...
基于熱性能的NIS(V)3071 PCB設(shè)計(jì)考慮因素
單片電子保險(xiǎn)絲(eFuse)NIS(V)3071能夠提供高達(dá)10A 連續(xù)電流,在設(shè)計(jì)它的PCB時(shí)熱性能是重要的考量因素,在設(shè)計(jì)PCB熱特性時(shí),需要考慮e...
▼關(guān)注公眾號(hào): 工程師看海▼ ?大家好,我是工程師看海,總有同學(xué)說用的 LDO發(fā)熱 ,轉(zhuǎn)發(fā)一篇TI的優(yōu)秀文章,介紹為什么發(fā)熱?怎么散熱? ? ? ? ?...
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項(xiàng)溫度點(diǎn)位置如圖所示,其中T3...
從國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)獲悉,華為技術(shù)有限公司日前公開了一項(xiàng)名為“具有改進(jìn)的熱性能的倒裝芯片封裝”專利,申請(qǐng)公布號(hào)為CN116601748A。
CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗,并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)...
2025-04-15 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 223 0
應(yīng)用說明2026 PCB設(shè)計(jì)對(duì)簡(jiǎn)單開關(guān)電源模塊熱性能的影響立即下載
類別:電源技術(shù) 2018-05-17 標(biāo)簽:PCB開關(guān)電源熱性能 1227 0
采用28引腳HTSSOP的SWIFT DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱性能立即下載
類別:電子資料 2024-10-11 標(biāo)簽:DC轉(zhuǎn)換器熱性能 244 0
PPO改性方法分為物理改性(共混、填充等)和化學(xué)改性(主鏈、端基改性等),物理改性主要是與其他高性能樹脂共混形成塑料合金,化學(xué)改性是在PPO分子鏈上引入...
在回火期間,玻璃被加熱到變軟的時(shí)點(diǎn),但過度加熱反而會(huì)增加玻璃中的變形。針對(duì)玻璃厚度的過程設(shè)置是一個(gè)很費(fèi)時(shí)的試錯(cuò)過程。低輻射玻璃可能難以加熱,因?yàn)樗怯脕?..
MOSFET雪崩能量與器件的熱性能和狀態(tài)相關(guān)性能
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中,很少考...
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