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標(biāo)簽 > 硅晶片
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硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)
硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置,表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理,對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗,對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...
硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)
拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過...
迪思科高科技把在硅晶片單片化及低介電率膜開槽工藝中培育起來的激光切割技術(shù)經(jīng)驗(yàn)用到了LED上,在高亮度LED用晶片的激光切割設(shè)備市場(chǎng)上獲得了較高的份額。由...
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS,利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻,在晶片內(nèi)表面附近,研究了定量分析特...
濕式化學(xué)清洗過程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響
本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了濕式化學(xué)清洗過程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明,表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性:隨著硅基底的微粗糙度...
傅里葉定理中,任何波形:方波、三角波、鋸齒波,都可以被重新創(chuàng)建為足夠數(shù)量的正弦波和足夠高諧波的余弦波的疊加。取一個(gè)基本頻率,1千赫。有A1、A3、A5和...
2023-09-15 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)信號(hào)完整性方波 819 0
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