這是一款實用的雙面接觸式電容壓力傳感器設計方案，拿走不謝

雙面接觸式電容壓力傳感器的原理是基于單面接觸式電容壓力傳感器而來的。其工作原理：當傳感器的受壓膜片（即梁）與基底距離很近時，膜片受壓后與基底接觸，當壓力...

2018-01-06 標簽：壓力傳感器Yageo硅晶片 1.1萬 0

碳化硅晶片生產工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉換效率并減小產品體積等特點。

2023-09-27 標簽：SiC電磁感應硅晶片 7395 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標簽：工藝蝕刻硅晶片 4884 0

過氧化氫溶液的作用解讀 在半導體材料制備中硅晶片清洗

引言 過氧化氫被認為是半導體工業的關鍵化學品。半導體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

2022-07-07 標簽：芯片硅晶片光刻膠 4594 0

硅晶片清洗方式的詳細說明

半導體制造業面臨的最大挑戰之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些...

2022-07-08 標簽：半導體制造業硅晶片 4587 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制...

2022-04-26 標簽：蝕刻硅晶片 4446 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。

2022-08-26 標簽：工藝蝕刻硅晶片 3320 0

如何阻止天線效應破壞您的電路

與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個主要優點是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。

2021-10-07 標簽：集成電路硅晶片 3215 0

光伏硅片的超聲化學清洗技術

近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優點。...

2022-04-12 標簽：光伏清洗硅晶片 2730 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用...

2023-03-30 標簽：半導體晶圓蝕刻 2626 0

如何減少硅晶片表面上的金屬雜質

本發明涉及一種半導體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預定濃度的EDTA等絡合物形成劑，以減少殘留在硅晶...

2022-04-08 標簽：半導體金屬硅晶片 2083 0

硅濕法蝕刻中的表面活性劑

本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導體的選擇性側壁外延的具有平面側壁刻面的硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產鰭片。使用等離子體增...

2022-07-08 標簽：半導體蝕刻硅晶片 1876 0

硅晶片的清洗技術

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業實踐，對高質量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為...

2022-07-11 標簽：硅晶片清洗作業 1580 0

硅片透蝕MACE化學鍍金工藝優化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標簽：晶圓蝕刻硅晶片 1505 0

300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究

在半導體熱處理應用中，批處理在工業的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理...

2022-04-19 標簽：半導體熱處理硅晶片 1440 0

兩種不同類型的兆頻超聲波清洗方法

兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術節點的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清...

2022-03-30 標簽：集成電路超聲波硅晶片 1410 0