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標簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學技術進步的又一個里程碑。
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降銀耗新技術:銀包銅漿料的低成本、高可靠性與環(huán)境適應性分析
研究背景HJT太陽電池因其高能量轉換效率、較少的制造工序、較低的制備溫度和更優(yōu)的溫度系數(shù)而受到廣泛關注。HJT太陽電池的低溫制備特性限制了漿料的選擇,導...
硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析
硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結果...
“ 光刻作為半導體中的關鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關鍵”
光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關重要。...
美國進口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離...
隧穿氧化物鈍化接觸(TOPCon)技術仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關注。然而,在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,電池會遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會導致電池的光學和...
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)是一種針對特定應用設計和制造的集成電路。與通...
2024-04-19 標簽:半導體材料硅片數(shù)字信號處理器 649 0
分凝吸雜由雜質的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域對雜質的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。
2024-04-01 標簽:硅片 1194 0
使用ICP-MS/MS進行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
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