全方位解析碳化硅：應用廣泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中應用最廣泛、最經濟的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學性質，在多個領域展現(xiàn)了不可替代的...

2024-12-30 標簽：材料SiC碳化硅 819 0

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法...

2024-12-27 標簽：半導體碳化硅硅襯底 445 0

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機構

一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點厚度最高點與最低點之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以...

2024-12-26 標簽：碳化硅硅襯底半導體晶圓 432 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進

隨著電動汽車動力總成和能源基礎設施對碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場的增長。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標簽：MOSFET安森美碳化硅 489 0

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個關鍵工序。每一步都對最終產品的TTV有著重要影響。 切割...

2024-12-25 標簽：半導體晶圓碳化硅 519 0

激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控

一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術，通過局部高溫作用，能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質量，優(yōu)化摻雜元素...

2024-12-24 標簽：晶圓襯底碳化硅 459 0

碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控

一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質...

2024-12-23 標簽：晶圓SiC碳化硅 463 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1565 0

提高SiC晶圓平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圓平整度是半導體制造中的一個重要環(huán)節(jié)，以下是一些提高SiC晶圓平整度的方法： 一、測量與分析 平整度檢測：首先，使用高精度的測量...

2024-12-16 標簽：SiC碳化硅晶圓檢測 554 0

晶圓單面拋光的裝置及方法

晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導體設備技術領域，以下是對其詳細的介紹： 一、晶圓單面拋光裝置 晶圓單面拋光裝置通常包含以下關鍵組件： 工作臺：作...

2024-12-12 標簽：半導體碳化硅晶圓檢測 528 0

單面磷化銦晶片的制備方法有哪些？

單面磷化銦晶片的制備方法主要包括以下步驟： 一、基本制備流程 研磨：采用研磨液對InP（磷化銦）晶片進行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化鋁）和...

2024-12-11 標簽：晶片碳化硅晶圓檢測 384 0

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法有哪些？

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種： 一、采用先進的拋光設備和技術 雙面拋光設備： 使用雙面拋光設備對晶圓進行加工，這種設備能同時...

2024-12-10 標簽：半導體晶圓碳化硅 450 0

浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅動熱管理效率?

提高電機驅動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車SiC碳化硅 709 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿...

2024-12-06 標簽：MOSFET檢測碳化硅 1096 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面： 一、晶圓片制備優(yōu)化 多次減薄處理： 采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標簽：GaN石英玻璃碳化硅 504 0

大尺寸藍寶石晶圓平坦化的方法有哪些

大尺寸藍寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種： 一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對藍寶石晶圓進行雙面粗研磨，以去除晶圓表面的...

2024-12-06 標簽：測量碳化硅晶圓檢測 449 0

改善晶圓出刀TTV異常的加工方法有哪些？

改善晶圓出刀TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化量）異常的加工方法主要包括以下幾種： 一、設備調整與優(yōu)化 主軸與承片...

2024-12-05 標簽：碳化硅測厚半導體晶圓 554 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件SiC 870 0

磨料形貌及分散介質對4H碳化硅晶片研磨質量有哪些影響

磨料形貌及分散介質對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細分析： 一、磨料形貌的影響 磨料形貌是研磨過程中影響4H...

2024-12-05 標簽：半導體碳化硅晶圓檢測 464 0

怎么制備半導體晶圓片切割刃料？

半導體晶圓片切割刃料的制備是一個復雜而精細的過程，以下是一種典型的制備方法： 一、原料準備 首先，需要準備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料...

2024-12-05 標簽：半導體晶圓碳化硅 421 0