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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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集成電路產(chǎn)業(yè)狂飆,企業(yè)如何為高質(zhì)量發(fā)展注入活力
據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年我國集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)量同比增長了28.9%,增勢明顯。在萬年芯看來,集成電路產(chǎn)業(yè)強勢“狂飆”,交出了亮眼的2024...
喜報!萬年芯榮獲第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市賽區(qū)一等獎
8月1日,第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽圓滿落幕。經(jīng)過團隊不懈努力,江西萬年芯微電子有限公司憑借“基于先進碳化硅圓片技術(shù)的大功率塑封集成模...
SiC 在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優(yōu)勢。耐高壓方面,SiC 阻抗更低,禁帶寬度更寬, 能承受更大的電流和電壓,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更好效率...
位于美國紐約州的新工廠擴大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能,滿足從汽車到工業(yè)等諸多應用對于 SiC 器件急劇增長的需求。
寬帶隙 (WBG) 半導體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 半導體材料顯示出優(yōu)異的性能...
2022-08-17 標簽:半導體電力電子技術(shù)碳化硅 680 0
經(jīng)濟晚報:第九屆“創(chuàng)客中國”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯獲一等獎
8月1日,由上饒市工信局、市財政局、市促進非公有制經(jīng)濟發(fā)展領(lǐng)導小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽精彩開賽,來自全市工業(yè)領(lǐng)域...
Wolfspeed榮獲2022年度亞洲金選獎“金選車用電子解決方案供應商”
我們很高興獲得這一榮譽。憑借 Wolfspeed 碳化硅(SiC)器件所提供的卓越性能、效率和續(xù)航里程,我們將助力全球朝著全電動化交通未來轉(zhuǎn)型。具備能源...
2022-12-13 標簽:半導體技術(shù)碳化硅Wolfspeed 678 0
尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標志物是一個巨大的挑戰(zhàn),因為需要滿足嚴格的標準:生物標志物應該(I)無毒和生物惰性,(ii)光穩(wěn)定,即不發(fā)光,iii)不顯示發(fā)光的...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,...
沃爾沃汽車官宣SiC功率模塊領(lǐng)域首筆投資“落地”
據(jù)沃爾沃汽車集團政府消息,臻驅(qū)科技投資由力沃爾沃汽車科技基金在電子領(lǐng)域;特別是碳化硅電力模塊領(lǐng)域投資的第一個項目投資直接力量沃爾沃汽車電子和流域年均功率...
安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司United Sil...
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件...
2023-05-25 標簽:安森美DC-DC轉(zhuǎn)換器碳化硅 668 0
新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板
新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板評估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動基于2kV碳化硅MOSFET樣機的特性...
2024-05-09 標簽:MOSFET碳化硅數(shù)字驅(qū)動器 668 0
全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控!
BASiC?基半股份一級代理商全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應...
功率半導體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應用分析
引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通...
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