離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝...

2025-01-21 標(biāo)簽：工藝離子注入 262 0

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段，本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅，...

2025-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓離子注入 311 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 451 0

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體，因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么，我們該如何使它能夠?qū)щ娔兀孔屛覀儊砜匆幌鹿璧奈⒂^結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽：電源晶體工藝 1352 0

介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。

2024-02-23 標(biāo)簽：溫度傳感器壓力傳感器PN結(jié) 966 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅mems離子注入 5368 0

探討碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工...

2023-09-29 標(biāo)簽：芯片探測器紅外探測器 2883 0

半導(dǎo)體離子注入工藝講解

阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。

2023-06-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝NMOS 6662 0

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝

旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。

2023-06-06 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 2581 0

一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù)：暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子...

2024-12-31 標(biāo)簽：MOSFET離子注入 404 0

離子注入技術(shù)在晶硅太陽能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢

在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效。「美能光伏」作為一家具有眾多檢測電池和組...

2023-08-29 標(biāo)簽：太陽能晶硅離子注入 905 0

離子注入工藝原理介紹

四十五所作為國內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一，其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清...

2021-02-01 標(biāo)簽：自動化半導(dǎo)體制造離子注入 5965 0

離子注入工藝仿真

離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的...

2020-11-20 標(biāo)簽：晶圓仿真晶格 5846 0

離子注入設(shè)備和方法

離子注入設(shè)備和方法:最簡單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。

2011-05-22 標(biāo)簽：離子注入 7986 0