等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...

2022-05-19 標(biāo)簽：等離子體蝕刻 2205 0

太陽能電池中表面等離子體增強光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長足的進步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能等離子體 2053 0

動態(tài)反向脈沖(DRP)實驗

在之前的《實踐出真知，實驗領(lǐng)創(chuàng)新》推文中，我們探討了與傳統(tǒng)的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動態(tài)反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負荷降低約12%，從而為...

2023-11-21 標(biāo)簽：等離子體脈沖電荷 1903 0

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體蝕刻 1865 0

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...

2023-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 1677 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽：存儲器等離子體半導(dǎo)體封裝 1407 0

什么是等離子體

等離子體，英文名稱plasma，是物質(zhì)的第四態(tài)，其他三態(tài)有固態(tài)，液態(tài)，氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài)，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動性的特點。

2024-11-05 標(biāo)簽：芯片等離子體工藝 1325 0

淺談刻蝕的終點控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1257 0

半導(dǎo)體材料特性分析

書接上節(jié)，常見的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個例子。當(dāng)然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體工藝流程 1042 0

射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應(yīng)用

實驗名稱：等離子體壓力傳感器及其在動態(tài)壓力測量中的應(yīng)用研究方向：壓力傳感器測試目的：如何準確測量高超沖壓發(fā)動機隔離段和航空發(fā)動機壓氣機部件的內(nèi)部流場是提...

2024-07-31 標(biāo)簽：傳感器功率放大器等離子體 1014 0

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標(biāo)簽：等離子體蝕刻ICP 942 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體等離子體 877 0

激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)介紹

激光誘導(dǎo)擊穿光譜(英語:Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技術(shù)，通過超短脈沖激光聚焦樣品表面形成等離...

2024-10-18 標(biāo)簽：激光探測器等離子體 845 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標(biāo)簽：等離子體等離子蝕刻工藝 836 0

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 689 0