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全球最大的先進半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商之一——美國美光科技公司在中國投資2.5億美元建立的第一個制造工廠，2007年3月21日在西安高新區(qū)落成，該廠是外商獨資企業(yè)，是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進行美光科技半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試和封裝。

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美光資訊

美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨

隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，...

2025-06-18 標簽：內(nèi)存美光 HBM4 481 0

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工藝的LPDDR5X內(nèi)存樣品。該產(chǎn)品采用第六代10nm級別1γ（1-gamm...

2025-06-14 標簽：美光 2865 0

基于美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲解決方案，合力打造 Motorola 功能強大的翻蓋手機 ? 最新動態(tài)：美光科技今日（5 月 2...

2025-05-27 標簽：AI 美光 875 0

美光科技推出兩款全新高性能固態(tài)硬盤

在近日開幕的2025臺北國際電腦展（Computex 2025）上，美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）宣布推出兩款全新的高性能固態(tài)硬盤（SS...

2025-05-27 標簽：美光固態(tài)硬盤 Crucial 444 0

揭秘美光G9 NAND移動UFS 4.1解決方案

在快節(jié)奏的今天，手機早已不是單純的通訊工具，隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展，智能手機正在成為人類的AI助手。這背后，都依賴大容量高速存儲系統(tǒng)！這一趨勢將進一步推...

2025-04-28 標簽：智能手機 NAND AI 544 0

今日看點丨國內(nèi)車企第一！比亞迪預(yù)計一季度凈利潤85至100億元；美光4月9日起對部分存儲產(chǎn)品征收附加費

1. 白宮正式宣布對中國商品征104% 關(guān)稅，特朗普沒有考慮延長或推遲關(guān)稅 ? 據(jù)外媒報道，白宮發(fā)言人卡羅琳?萊維特表示，美國將從美東時間周三凌晨12:...

2025-04-09 標簽：比亞迪美光 560 0

美光科技亮相2025年世界移動通信大會

近日，世界移動通信大會 (MWC) 在西班牙巴塞羅那拉開帷幕。作為移動創(chuàng)新的展示中心，今年的 MWC 展示了諸多推動未來移動 AI 發(fā)展的前沿技術(shù)，包括...

2025-03-21 標簽：移動通信 AI 美光 630 0

美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計算需求

美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動平臺帶來卓越的性能與能效 ? 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — ? 美光科技股份...

2025-02-26 標簽：美光 310 0

友達將晶材廠整體出售給美光

近日，友達董事長彭雙浪宣布了一項重要決策：董事會已決議將友達晶材東側(cè)廠區(qū)出售給美光半導(dǎo)體公司。加上去年已經(jīng)出售的西側(cè)廠區(qū)，整個友達晶材廠區(qū)的總售價高達3...

2025-02-14 標簽：友達美光單晶片 557 0

美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭

近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前，美光正在對最終設(shè)備進行評估，并計劃在今年...

2025-01-17 標簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)中心美光 479 0

美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動工

近日，全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布，其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進封裝工廠項目已于當?shù)貢r間今日正式破土動工。這座工廠預(yù)計將于2026年正式投...

2025-01-09 標簽：封裝內(nèi)存美光 680 0

韓廠首傳減產(chǎn)消息，NAND Flash市場迎供需平衡預(yù)期

近期，NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費級NAND Fla...

2025-01-07 標簽：NAND 美光 SK海力士 439 0

美光投資21.7億美元擴建弗吉尼亞州半導(dǎo)體工廠

近日，美國弗吉尼亞州州長格倫?楊金宣布，全球知名半導(dǎo)體公司美光計劃在該州馬納薩斯投資21.7億美元(當前約合158.76億元人民幣)，擴建其半導(dǎo)體工廠。...

2025-01-02 標簽：半導(dǎo)體存儲器美光 465 0

美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對市場需求放緩

近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財年第一財季財報電話會議文稿，公司高管在會上確認了針對當前閃存市場需求放緩的應(yīng)對措施。美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Mar...

2024-12-26 標簽：閃存 NAND 晶圓 586 0

美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展

近日，據(jù)報道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進...

2024-12-23 標簽：接口內(nèi)存美光 830 0

美光推出速率與能效領(lǐng)先的 60TB SSD

業(yè)界首創(chuàng) E3.S 封裝 60TB SSD，美光 6550 ION SSD 為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心帶來業(yè)界領(lǐng)先的能效，每機架密度提升高達 67% ? 202...

2024-12-19 標簽：美光 577 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一，包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^，海力士、我們、三星，都在花費大量的精力和財力打造H...

2024-11-12 標簽：內(nèi)存美光人工智能 699 0

美光預(yù)測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費級設(shè)備，對高級內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...

2024-10-26 標簽：美光人工智能 EUV 1191 0

美光高管：AI PC存儲遠超“基準要求”，兩大策略應(yīng)對數(shù)據(jù)中心“存儲池”

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）生成式AI帶來的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新不僅在于性能越來越強大的GPU，它同時正在推進存儲產(chǎn)品的變化和技術(shù)的進步。近日，美光副總裁暨客...

2024-10-18 標簽：存儲數(shù)據(jù)中心美光 3264 0

美光發(fā)布新型CUDIMM與CSODIMM內(nèi)存產(chǎn)品

　美光公司近期宣布成功推出并已開始批量發(fā)貨兩款新型內(nèi)存模塊——CUDIMM與CSODIMM，這兩款產(chǎn)品均遵循JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會的標準，數(shù)據(jù)傳輸速率高...

2024-10-16 標簽：內(nèi)存美光 1259 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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