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標(biāo)簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
效率突破98%!英諾賽科發(fā)布2kW四相降壓電源方案,助力數(shù)據(jù)中心與新能源升級(jí)
隨著服務(wù)器和人工智能應(yīng)用的發(fā)展,CPU/GPU的功率越來(lái)越高,為了降低傳輸損耗,傳統(tǒng)供電架構(gòu)已經(jīng)從12V升級(jí)到48V。受
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵(GaN)技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電
2025-04-01 標(biāo)簽: 意法半導(dǎo)體 氮化鎵 英諾賽科 708 0
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億,車規(guī)GaN猛增9倍
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2025 年3月19日 - 英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(香港聯(lián)交所代碼:2577)是一家致力于高性能、低成本的硅基
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近日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司及其全資附屬公司英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司,通過(guò)港交所發(fā)布公告,宣布已正式向江
英諾賽科登陸港交所,氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)
近日,全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且
2025-01-06 標(biāo)簽: 電壓 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 541 0
英諾賽科香港上市,國(guó)內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日,國(guó)內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司,在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著
2025-01-02 標(biāo)簽: 半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心 氮化鎵 548 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)2024年6月,英諾賽科(珠海)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”)向港交所遞交了上市申請(qǐng)
英諾賽科港股招股,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革
近年來(lái),新能源產(chǎn)業(yè)的崛起以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,為功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)注入了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。其中,氮
2024-12-25 標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 英諾賽科 410 0
英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品 駕駛艙快充首選
近年來(lái),隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用,大功率充電器也日益小型化。大眾對(duì)電子設(shè)備的頻繁使用以及電量
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)的氮化鎵功率器件,產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
英諾賽科已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無(wú)線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動(dòng)等方面發(fā)布產(chǎn)品方案,并與國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開展深度合作,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體公司,在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)重大突破,建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了中國(guó)第三代半導(dǎo)體零的突破。
我們的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)
英諾賽科的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由半導(dǎo)體和(電力)電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來(lái)自世界一流的領(lǐng)先公司,在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
此外,為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力,并更加順利地推廣產(chǎn)品,英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家,用于進(jìn)行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科(Innoscience)創(chuàng)立于2015年12月17日,旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵(GaN )的生產(chǎn)基地。
公司成立之初,英諾賽科的創(chuàng)始人就深知,如果想實(shí)現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上要進(jìn)行大規(guī)模推廣,還需要解決另外三個(gè)痛點(diǎn):首先是成本,具備合理的價(jià)格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的爆發(fā)。第三,要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定,有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng),客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā),無(wú)需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。因此,Innoscience 明白,只有擴(kuò)大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線,才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上進(jìn)行大規(guī)模推廣的三個(gè)痛點(diǎn)(價(jià)格、數(shù)量和供應(yīng)安全)。
從一開始,英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓,與6英寸相比,8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時(shí),英諾賽科采用C-MOS工藝,以便將多年來(lái)在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)化措施應(yīng)用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天,英諾賽科已實(shí)現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前,公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,采用最先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)工藝,是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前,英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達(dá)到每月10000片,并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就,離不開招銀國(guó)際、ARM、SK和CATL等世界級(jí)投資方的支持。
英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案
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氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:[email protected]) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
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