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標簽 > 蝕刻技術

蝕刻技術

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蝕刻技術技術

在氮化鎵中利用光電化學蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展

在溝槽蝕刻的實驗中,達到的深度是由電流密度控制的,而不是沿GaN晶格的m軸或a軸的掩模取向。短寬度孔徑掩模的溝槽蝕刻速率在約30μm深度處減慢。研究人員...

2018-09-05 標簽:二極管PCB設計晶片 4692 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

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隨著5G技術的推出,導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質,這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽:半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 3753 0

PCB蝕刻工藝過程中如何把控蝕刻質量

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步——蝕刻進行解析。

2019-05-31 標簽:PCBPCB設計蝕刻技術 3747 0

LIDE激光誘導深度蝕刻技術在MEMS封裝領域的應用

良好的機械強度:玻璃是一種相對堅固且耐用的材料,可以保護MEMS器件免受機械應力的影響。另外,不同于金屬或其他材料, 玻璃材料不會產生疲勞效應。適用于長...

2023-03-03 標簽:mems晶圓蝕刻技術 2893 0

pcb蝕刻過程中應注意哪些問題?

維護蝕刻設備的最關鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物,使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結渣會使噴射時產生壓力作用,沖擊板面。而噴嘴不清潔,則會造成蝕刻...

2018-10-16 標簽:pcbPCB設計蝕刻技術 2888 0

硅的濕式化學蝕刻和清洗

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本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學配方。盡可能多的來源已經被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單

2023-03-17 標簽:半導體蝕刻蝕刻技術 2806 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

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3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽:NAND存儲芯片蝕刻技術 2685 0

一種新型的鍺化硅(SiGe)干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術

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納米線(NWs)已經為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺, 從而研究如何使納米線的表面功能化,由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性,導致我們需要考慮如何使納...

2023-06-16 標簽:半導體晶體管蝕刻技術 2079 0

研究人員開發出一種創新的光電化學(PEC)蝕刻技術

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近日,美國哈佛醫學院(HMS)和麻省理工學院總醫院的一個聯合研究小組表示,他們利用PEC刻蝕法實現了微盤激光器輸出的調諧,這使得納米光子學和生物醫學的新...

2023-09-12 標簽:光電激光器通信 1768 0

混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

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摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化...

2022-01-07 標簽:半導體印刷電路蝕刻 1600 0

深度解讀硅微納技術之蝕刻技術

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蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。

2023-07-12 標簽:蝕刻技術薄膜基板 740 0

垂直刻蝕在AI邏輯中的應用

人工智能(AI)是預計到2030年將成為價值數萬億美元產業的關鍵驅動力,它對半導體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面,一些最復雜的問題來自于需...

2023-11-16 標簽:半導體晶體管AI 710 0

適用于基于晶圓鍵合的3D集成應用的高效單晶圓清洗

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不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中,晶圓直接鍵合對顆粒清潔度的要求非常嚴格。直接晶圓鍵合包括通過簡單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接...

2023-09-08 標簽:半導體晶圓蝕刻技術 559 0

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