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襯偏調(diào)制

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　　MOSFET的襯偏調(diào)制效應(yīng)也就是所謂MOSFET襯偏效應(yīng)、或者M(jìn)OSFET的體效應(yīng)。

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襯偏調(diào)制簡介

　　MOSFET的襯偏調(diào)制效應(yīng)也就是所謂MOSFET襯偏效應(yīng)、或者M(jìn)OSFET的體效應(yīng)。因?yàn)镸OSFET是依靠溝道來導(dǎo)電的，而溝道與襯底之間即形成一個(gè)所謂場感應(yīng)pn結(jié)。在MOSFET及其IC工作時(shí)，該場感應(yīng)pn結(jié)應(yīng)該始終存在才是合理的。

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襯偏調(diào)制,襯偏調(diào)制是什么意思

襯偏調(diào)制,襯偏調(diào)制是什么意思在一般情況下，我們都沒有考慮襯底電位對(duì)晶體管性能的影響，都是假設(shè)襯底和晶體管的源極相連，即VBS (Bulk-Sourc

2010-03-23 標(biāo)簽：襯偏調(diào)制 1547 0

襯偏調(diào)制數(shù)據(jù)手冊(cè)

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